# ประสิทธิภาพเหนือ 26.3%: เหลืออะไรที่ด้านหลัง? > การเปรียบเทียบทางเทคนิคของเซลล์ p-TOPCon แบบ back-junction ที่มีประสิทธิภาพ 26.34% และการออกแบบ n-TOPCon ที่ 26.66% ครอบคลุมหน้าสัมผัส SiOx/poly-Si แบบสองชั้น ![ประสิทธิภาพเหนือ 26.3%: เหลืออะไรที่ด้านหลัง?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260724/2026072418751974.webp) - ** Jerry - ** 2026-07-24 - ** 242 ครั้งที่เข้าชม - ** [บล็อก](./Blog.html) ## ประสิทธิภาพเหนือ 26.3%: เหลืออะไรที่ด้านหลัง? **คำตอบสั้น:** ประสิทธิภาพเซลล์เกิน 26.3% ด้านหน้าของเซลล์ TOPCon ใกล้ถึงจุดที่เหมาะสมที่สุดแล้ว และส่วนที่เหลือยังมีช่องว่างอยู่ที่ด้านหลัง นั่นคือสิ่งที่ขับเคลื่อนการเปลี่ยนไปสู่การสัมผัสด้านหลังแบบ p-type เต็มพื้นที่และนิ้วโพลีซิลิคอนเฉพาะจุด ซึ่งเปลี่ยนวิธีที่ด้านหลังเก็บกระแสและปริมาณพื้นที่ที่จัดสรรให้กับการพาสซีเวชันเทียบกับการสัมผัส โครงสร้างที่วัดได้เกี่ยวข้องกับสแต็กด้านหลังที่มีชั้นหนาประมาณ 1 nm, 1.5 nm, 36 nm และ 90 nm การสัมผัสเต็มพื้นที่ และขั้นตอนกระบวนการด้านหลังที่อุณหภูมิใกล้ 650 °C โดยมีแรงดันวงจรเปิดที่รายงานไว้ที่ 1.961 V สำหรับอุปกรณ์ที่กล่าวถึง แต่ละมิติเหล่านี้แลกเปลี่ยนความต้านทานการสัมผัสกับรีคอมบิเนชัน และค่าที่เหมาะสมที่สุดจะเปลี่ยนไปเมื่อด้านหน้าดีขึ้น ในสายการผลิต นี่หมายความว่าสูตรด้านหลังกลายเป็นตัวแปรที่มีชีวิตมากกว่าส่วนที่คงที่ของกระบวนการ การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## ประสิทธิภาพสูงกว่า 26.3% ยังเหลืออะไรให้ปรับปรุงที่ด้านหลัง? “เหลาจาง เซลล์ 26.66% ใช้โครงสร้างด้านหลังแบบ p-type เต็มพื้นที่ ในรายงาน 26.34% ด้านหน้าเปลี่ยนเป็นนิ้วแบบ n-TOPCon เฉพาะจุด ขณะที่ด้านหลังกลายเป็นหน้าสัมผัส p-TOPCon เต็มพื้นที่ แล้วสแต็ก SiOx/poly-Si แบบสองชั้นยังเหมือนเดิมหรือไม่?” [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) โครงสร้างด้านหลัง ในบทความ 26.34% ด้านหน้าเปลี่ยนเป็นนิ้วแบบ n-TOPCon ที่ถูกจำกัดเฉพาะที่ ขณะที่ด้านหลังกลายเป็นหน้าสัมผัส p-TOPCon แบบเต็มพื้นที่ ชั้นซ้อน SiOx/poly-Si แบบสองชั้นยังคงเหมือนเดิมหรือไม่?” นั่นคือคำถามติดตามจากทีมกระบวนการของเราหลังจากที่เราพูดคุยเกี่ยวกับเซลล์ 26.66% เมื่อวานนี้ **สถาปัตยกรรมสองชั้นด้านหลังพื้นฐานเกือบจะคัดลอกมาจากการออกแบบ 26.66% แต่ด้าน p-TOPCon มีปุ่มปรับสามปุ่มที่เซลล์ 26.66% ไม่ได้แตะต้อง กลยุทธ์ด้านหน้าก็แตกต่างอย่างสิ้นเชิง มันเคลื่อนออกจากอิมิตเตอร์โบรอนความต้านทานสูง 430 Ω/□ และไปสู่ฟิงเกอร์ n-TOPCon แบบเฉพาะจุด นี่เป็นสองแนวทางที่แตกต่างกันมากในการลดการรวมตัวใหม่** เอกสาร 26.34% โดย Gao K. et al. สามารถมองได้ว่าเป็นการศึกษาคู่ขนานแบบ back-junction ของงาน 26.66% การอ่านทั้งสองร่วมกันให้ภาพที่ชัดเจนขึ้นว่าต้องทำอะไรเพื่อเข้าใกล้ประสิทธิภาพ 27% > Gao, K. et al. “Bifacial tunnel oxide passivating contacts for silicon and perovskite/silicon tandem solar cells with improved efficiency.” *Nature Energy* (2026). DOI: [10.1038/s41560-026-02007-8](https://doi.org/10.1038/s41560-026-02007-8) ## สามตัวเลขเบื้องหลังเซลล์ 26.34% - **ประสิทธิภาพเซลล์เดี่ยว: 26.34%** บนพื้นที่ 335.5 ซม.², มี Voc 743.2 mV, FF 85.0% และ Jsc 41.69 mA/cm² - **ประสิทธิภาพแบบ Tandem: 32.73%**โดยใช้เซลล์ perovskite ชั้นบนที่มีแถบพลังงาน 1.68 eV แรงดัน Voc ของ tandem ถึง 1.961 V ในขณะที่ประสิทธิภาพเริ่มต้น 80% ยังคงอยู่หลังจากติดตาม MPP เป็นเวลา 2,000 ชั่วโมง - คำจำกัดความโครงสร้าง: **ฟิงเกอร์ n-TOPCon เฉพาะที่ด้านหน้าในรูปแบบ back-junction รวมกับหน้าสัมผัสด้านหลังแบบ double-layer p-TOPCon พื้นที่เต็ม**โดยพื้นฐานแล้วเป็นการกลับด้านของ TOPCon ทั่วไป ซึ่งปกติจะใช้ตัวปล่อยโบรอนด้านหน้าและหน้าสัมผัส n-TOPCon ด้านหลัง ## หน้าสัมผัสด้านหลังแบบ Double-Layer: โครงกระดูกเดียวกัน แต่มีปุ่มปรับกระบวนการสามแบบที่แตกต่างกัน หน้าสัมผัสด้านหลัง 26.66% ใช้ **SiOx / n+ poly-Si โดปเบา / SiOx / n+ poly-Si โดปหนัก**โดยใช้ฟอสฟอรัสเป็นสารเจือปน หน้าสัมผัสด้านหลัง 26.34% ใช้ **SiOx / p+ poly-Si หนา 36 nm / SiOx / p+ poly-Si หนา 90 nm**โดยใช้โบรอนเป็นสารเจือปน ทั้งสองโครงสร้างเป็นไปตามลำดับพื้นฐานเดียวกัน: SiOx ด้านล่าง, poly-Si ชั้นใน, SiOx ชั้นกลาง และ poly-Si ชั้นนอก อย่างไรก็ตาม เวอร์ชัน p-TOPCon ต้องจัดการกับปัญหาที่มีมายาวนาน > **p-TOPCon มักเผชิญกับการแลกเปลี่ยนระหว่าง passivation และ contact** โบรอนสามารถสร้างข้อบกพร่องที่รอยต่อ Si/SiO₂ ได้มากกว่าฟอสฟอรัส ในขณะที่การทำ metallization ของ p+ poly-Si ทำได้ยากกว่าเนื่องจากข้อจำกัดในการขนส่งโฮลและปฏิสัมพันธ์ที่อ่อนแอกว่าระหว่างซิลเวอร์เพสต์ทั่วไปกับ p+ poly-Si | รายการเปรียบเทียบ | หน้าสัมผัสด้านหลัง 26.66%: n-TOPCon พื้นที่เต็ม | หน้าสัมผัสด้านหลัง 26.34%: p-TOPCon พื้นที่เต็ม | | --- | --- | --- | | ขั้วของสารเจือปน | ฟอสฟอรัส, n+ | โบรอน, p+ | | ความหนา poly-Si ชั้นใน/ชั้นนอก | ประมาณ 40 / 60 nm | 36 / 90 nm; ชั้นนอกที่หนากว่าให้ระยะปลอดภัยมากขึ้นสำหรับการแพร่ของโบรอนและการทำ metallization | | SiOx ชั้นกลาง | ประมาณ 1.5 nm, ออกซิไดซ์ด้วยความร้อนที่ 620°C | ประมาณ 1 นาโนเมตร เกิดจากการออกซิเดชันความร้อนในแหล่งที่อุณหภูมิ 650°C; บางกว่าเพราะการทะลุผ่านของโฮลทำได้ยากกว่าที่ด้าน p+ | | การอบอ่อน | ประมาณช่วง 880–920°C ในการวิเคราะห์ก่อนหน้านี้ | การอบอ่อนก่อนที่ 1050°C นานกว่า 30 วินาที ทำให้มีความเป็นผลึก 98% และเพิ่ม implied Voc เป็น 747 mV | | ซิลเวอร์เพสต์ | เพสต์แบบดั้งเดิม จับคู่กับชั้นอสัณฐานด้านนอกเพื่อจำกัดการทะลุของ Ag | เพสต์ที่ปรับเปลี่ยนด้วยโลหะอัลคาไลออกไซด์ มี Na₂O/K₂O 4% โดยน้ำหนัก และผงเงินหยาบ ลดความต้านทานสัมผัสเหลือ 0.55 mΩ·cm² | | สัณฐานวิทยาด้านหลัง | การขัดเงาด้านหลังแบบดั้งเดิม | การขัดเงาด้านหลังแบบเรียบ เพราะ p-TOPCon ไวต่อพื้นผิวมากกว่าและต้องการ J₀ ที่ต่ำกว่า | | เป้าหมายหลัก | ป้องกันการทะลุของ Ag ขณะรักษาการพาสซิเวชัน | ป้องกันการทะลุของ Ag, ยับยั้งข้อบกพร่องที่รอยต่อที่เกี่ยวข้องกับโบรอน และปรับปรุงการทำเมทัลไลเซชันของ p+ poly-Si | ข้อมูลกระบวนการที่รายงานรวมถึงการออกซิเดชันด้านหลังในแหล่งผลิตที่ 650°C ชั้น SiOx ขนาดกลางประมาณ 1 นาโนเมตร การโด๊ปโบรอนที่ 1 × 10²⁰ cm⁻³ ความเป็นผลึก 98% หลังการอบอ่อนล่วงหน้าที่ 1050°C ค่า Voc โดยนัยที่ 747 mV และความต้านทานคอนแทคที่ 0.55 mΩ·cm² โดยใช้เพสต์ที่ปรับเปลี่ยนด้วยโลหะอัลคาไลร่วมกับผงเงินหยาบ รายละเอียดหนึ่งที่มองข้ามได้ง่าย **ชั้น p+ poly-Si ด้านนอกหนา 90 นาโนเมตร หนากว่าชั้นด้านนอกของ n-TOPCon ประมาณ 60 นาโนเมตรถึง 50%** นี่ไม่ใช่การเพิ่มขึ้นตามอำเภอใจ โบรอนมีความสามารถในการละลายใน poly-Si ต่ำกว่าฟอสฟอรัส ดังนั้นส่วนที่โด๊ปหนักจึงต้องการความหนามากขึ้นเพื่อลดความต้านทานสัมผัส ในขณะเดียวกัน ขั้นตอนการอบอ่อนก่อนที่ 1050°C จะขับโบรอนเข้าด้านใน ชั้นที่หนาขึ้นช่วยป้องกันโบรอนทะลุและทำลายชั้น SiOx ด้านล่าง นั่นตรงกันข้ามกับกลยุทธ์ของ n-TOPCon ซึ่งชั้นด้านนอกสามารถบางกว่าและเป็นอสัณฐานมากกว่า ## ด้านหน้า: กลยุทธ์ 430 Ω/□ ถูกแทนที่ด้วยการแปลเป็นตำแหน่ง คำถามที่เหลือจากการศึกษาก่อนหน้านี้คือว่ากลยุทธ์อิมิตเตอร์โบรอนความต้านทานสูง 430 Ω/□ จะยังคงใช้ได้กับหน้าสัมผัสด้านหน้าแบบ fingered n-TOPCon หรือไม่ คำตอบจากเซลล์ 26.34% ชัดเจน: **ไม่ใช้ การออกแบบเปลี่ยนไปใช้แนวทางอื่น** เซลล์ 26.66% ใช้ตัวปล่อยด้านหน้าแบบกระจายโบรอนแบบดั้งเดิมที่มีความต้านทานแผ่น 430 Ω/□ เส้นโลหะละเอียดประมาณ 10 μm ชดเชยการนำไฟฟ้าด้านข้างที่อ่อนกว่า เซลล์ 26.34% จะลบตัวปล่อยโบรอนด้านหน้าแบบดั้งเดิมและแทนที่ด้วย **นิ้ว n-TOPCon ที่มีลวดลายกว้างประมาณ 210 μm โดยเหลือ poly-Si ไว้ใต้บริเวณสัมผัสโลหะเท่านั้น**. กลไกการลดการรวมตัวกันจึงเปลี่ยนจากการเจือจางความเข้มข้นของสารเจือปนผ่านความต้านทานแผ่นสูงไปเป็นการลดพื้นที่ที่ปกคลุมด้วย poly-Si - **พื้นผิวถูกปรับเปลี่ยนก่อน** โอโซนและ HF ถูกใช้เพื่อทำให้ปลายพีระมิดมน ซึ่งช่วยลดการพาสซีฟที่ไม่ดีและการกัดกร่อนของซิลเวอร์เพสต์รอบยอดพื้นผิวที่แหลมคม - **สนามความร้อนแบบเกรเดียนต์ (GTF) ถูกนำมาใช้ใน LPCVD** ค่าความกว้างครึ่งหนึ่งสูงสุดของรามานถึง 8.4 cm⁻¹ ค่าที่ต่ำกว่าบ่งชี้ถึงความเป็นผลึกที่ดีกว่า สนามความร้อนแบบเกรเดียนต์ช่วยปรับปรุงความสม่ำเสมอของอุณหภูมิทั้งด้านข้างและแนวตั้ง และเพิ่มความเป็นผลึกของ n+ poly-Si - **การเจือฟอสฟอรัสถึง 3.3 × 10²⁰ cm⁻³** ซึ่งสูงกว่าความเข้มข้นของฟอสฟอรัสที่ใช้ในหน้าสัมผัสด้านหลัง 26.66% ประมาณหนึ่งลำดับความสำคัญ นิ้ว n+ ด้านหน้าถูกออกแบบมาเพื่อการนำไฟฟ้ามากกว่าการพาสซีฟเต็มพื้นที่ งานพาสซีฟส่วนใหญ่ดำเนินการโดยหน้าสัมผัส p-TOPCon ด้านหลังแบบเต็มพื้นที่ - **ความกว้างของนิ้วประมาณ 210 μm** poly-Si ยังคงอยู่ใต้โลหะ ในขณะที่พื้นที่พื้นผิวที่ไม่สัมผัสถูกปล่อยทิ้งไว้โดยไม่ถูกปกคลุม ซึ่งช่วยลดการดูดกลืนปรสิตด้านหน้าอย่างมากเมื่อเทียบกับหน้าสัมผัส poly-Si แบบเต็มพื้นที่ แนวทาง 430 Ω/□ อยู่ในยุคของตัวปล่อยโบรอน ในโครงสร้าง n-TOPCon แบบมีนิ้ว การรวมตัวกันถูกควบคุมผ่าน **การปกคลุม poly-Si เฉพาะจุด, พื้นผิวที่โค้งมน และความเป็นผลึกที่ดีขึ้นจาก GTF-LPCVD**แทนที่จะเพิ่มความต้านทานแผ่นเพียงอย่างเดียว สิ่งนี้ช่วยอธิบายว่าเซลล์ 26.34% มี Voc 743.2 mV ซึ่งใกล้เคียงกับ 744.6 mV ที่รายงานสำหรับเซลล์ 26.66% ในขณะที่ยังมี Jsc ที่สูงกว่าได้อย่างไร หน้าสัมผัสด้านหน้าเฉพาะจุดช่วยลดการดูดกลืนปรสิตที่จะยังคงอยู่ในโครงสร้าง poly-Si ด้านหน้าแบบเต็มพื้นที่ ## การเปรียบเทียบแบบเคียงข้างกันของการออกแบบพี่น้อง 26% สองแบบ ### หน้าสัมผัส SiOx/poly-Si สองชั้นด้านหลัง | ชั้นหรือกระบวนการ | 26.66% n-TOPCon ด้านหลัง | 26.34% p-TOPCon ด้านหลัง | สาเหตุหลักของความแตกต่าง | | --- | --- | --- | --- | | ชั้น SiOx ด้านล่าง | ประมาณ 1.3–1.6 นาโนเมตร เกิดใน O₂ ที่ 620°C | ประมาณ 1.8 นาโนเมตร เกิดในแหล่งที่ 650°C | ด้าน p-type ต้องการสิ่งกีดขวางที่แข็งแรงกว่าต่อการทะลุของโบรอน แม้ว่าการขุดอุโมงค์ของโฮลจะยากกว่า | | ชั้น poly-Si ด้านใน | ประมาณ 40 นาโนเมตร โด๊ปฟอสฟอรัสเล็กน้อยและเป็นผลึกสูง | 36 นาโนเมตร โด๊ปโบรอนเล็กน้อย | โบรอนมีความสามารถในการละลายของแข็งต่ำกว่า ชั้นในที่บางกว่ายังคงรองรับการพาสซีฟได้ | | SiOx ชั้นกลาง | ประมาณ 1.5 นาโนเมตร เกิดใน O₂ ที่ 620°C | ประมาณ 1 นาโนเมตร เกิดในแหล่ง | การขุดอุโมงค์ต้องการมากขึ้นในด้าน p-type ดังนั้นชั้นกลางต้องไม่หนาเกินไป | | ชั้น poly-Si ด้านนอก | ประมาณ 60 นาโนเมตร โด๊ปฟอสฟอรัสหนักและส่วนใหญ่เป็นอสัณฐาน | 90 นาโนเมตร โด๊ปโบรอนหนัก | การทำโลหะบน p+ poly-Si ยากกว่า ต้องใช้ชั้นที่หนากว่าและเพสต์ที่ปรับเปลี่ยน | | การอบอ่อน | ประมาณ 880–920°C | การอบก่อนที่ 1050°C ทำให้มีความเป็นผลึก 98% | โบรอนต้องการอุณหภูมิกระตุ้นที่สูงกว่า ในขณะที่กระบวนการต้องควบคุมข้อบกพร่องที่ส่วนต่อประสานที่เกี่ยวข้องกับโบรอนด้วย | | ซิลเวอร์เพสต์ | เพสต์ทั่วไปจับคู่กับชั้นนอกที่เป็นอสัณฐาน | โลหะอัลคาไลออกไซด์ 4% โดยน้ำหนักบวกกับผงเงินหยาบ | การทำโลหะบน p+ poly-Si ยังคงเป็นหนึ่งในปัญหาคอขวดหลักของกระบวนการ | ### การเปรียบเทียบด้านหน้า | รายการ | 26.66% ด้านหน้า | 26.34% ด้านหน้า | | --- | --- | --- | | โครงสร้าง | อิมิตเตอร์แบบกระจายโบรอนเต็มพื้นที่ | นิ้ว n-TOPCon เฉพาะที่กว้างประมาณ 210 ไมโครเมตร | | กลยุทธ์ควบคุมการรวมตัวใหม่ | ความต้านทานแผ่นสูง 430 Ω/□ เพื่อเจือจางการโด๊ป | การครอบคลุม poly-Si ที่ลดลงรวมกับพื้นผิวที่โค้งมน | | พื้นผิว | พื้นผิวพีระมิดกลับหัวแบบดั้งเดิม | พีระมิดโค้งมนที่ผ่านการบำบัดด้วยโอโซนและ HF | | การสะสมโพลี-Si | ไม่เกี่ยวข้อง | GTF-LPCVD ที่มี Raman FWHM 8.4 cm⁻¹ | | สารเจือปน | โบรอน | ฟอสฟอรัสที่ 3.3 × 10²⁰ cm⁻³ | ## สิ่งที่บทความทั้งสองกล่าวเกี่ยวกับการพัฒนาคอนแทคด้านหลังที่มากกว่า 26% ข้อความที่รวมกันค่อนข้างตรงไปตรงมา > **ที่ระดับ 25% จุดสนใจคือพฤติกรรมของรูพรุนในชั้นออกไซด์ ที่ระดับ 26% การพัฒนาเคลื่อนไปสู่โครงสร้าง SiOx/โพลี-Si สองชั้นและวิศวกรรมโลหะการ ที่มากกว่า 26.3% เส้นทางเริ่มแยกออก: คอนแทคด้านหลัง n-TOPCon มุ่งสู่การทำงานร่วมกันทางไฟฟ้าแบบสองหน้า ในขณะที่คอนแทคด้านหลัง p-TOPCon เคลื่อนไปสู่รูปแบบรอยต่อด้านหลังที่มีฟิงเกอร์ด้านหน้าเฉพาะที่ แบบหลังใกล้เคียงกับสถาปัตยกรรม BC-TOPCon บางส่วนแล้ว** ชั้น SiOx กลางที่ใช้ป้องกันการซึมผ่านของเงินเป็นคุณสมบัติร่วมกันของการออกแบบคอนแทคด้านหลังสองชั้นทั้งสองแบบ อย่างไรก็ตาม ด้าน p-TOPCon ต้องแก้ปัญหาเพิ่มเติมสามประการ: - จำเป็นต้องมีขั้นตอนการอบอ่อนล่วงหน้าที่ 1050°C เพื่อกระตุ้นโบรอน เพิ่มความเป็นผลึก และระงับปัญหาที่เกี่ยวข้องกับรอยต่อของโบรอน - จำเป็นต้องใช้ซิลเวอร์เพสต์ที่ดัดแปลงด้วยโลหะอัลคาไลออกไซด์เพื่อจัดการกับโลหะการที่ยากของ p+ โพลี-Si - การขัดและทำให้พื้นผิวด้านหลังเรียบมีความสำคัญมากขึ้น เนื่องจาก p-TOPCon มีความไวต่อพื้นผิวและผลกระทบต่อ J₀ มากกว่า ปัญหาเหล่านี้ไม่ใช่ประเด็นหลักในการออกแบบ n-TOPCon ที่ 26.66% พูดง่ายๆ คือ **คอนแทค p-TOPCon สองชั้นผลิตได้ยากกว่าคอนแทค n-TOPCon แต่เมื่อควบคุมกระบวนการได้แล้ว อาจให้ศักยภาพ Voc ที่สูงกว่า** คอนแทคด้านหลัง p-TOPCon สองชั้นในเซลล์ที่ 26.34% มี implied Voc ที่ 747 mV สูงกว่าเล็กน้อยเมื่อเทียบกับระดับ implied Voc โดยรวมที่ประมาณไว้สำหรับการออกแบบที่ 26.66% ## พารามิเตอร์สายการผลิตที่สามารถนำไปใช้ได้โดยตรง 1. **ปรับปรุงการขัดและทำให้พื้นผิวด้านหลังเรียบ** สายการผลิต p-TOPCon ไม่ควรมองว่าการขัดด้านหลังเป็นกระบวนการที่ต้อง "ดีพอ" เท่านั้น การทำให้พื้นผิวเรียบมีอิทธิพลต่อ J₀ ของคอนแทค p-TOPCon สองชั้นมากกว่าคอนแทค n-TOPCon 2. **สร้างชั้น SiOx กลางในแหล่งกำเนิดที่ประมาณ 1 นาโนเมตร** การคัดลอกเทอร์มอลออกไซด์ 1.5 นาโนเมตรที่ใช้ในโครงสร้าง n-TOPCon 26.66% อาจลดการทันเนลและทำให้ FF ลดลงในด้าน p-type 3. **แนะนำขั้นตอนการอบอ่อนก่อนที่อุณหภูมิ 1050°C** หากไม่มีการบำบัดนี้ การกระตุ้นโบรอนและความเป็นผลึก 98% จะทำได้ยาก ทำให้ Voc โดยนัยที่ 747 mV ไม่น่าเป็นไปได้ 4. **ใช้ซิลเวอร์เพสต์ที่ดัดแปลงด้วยโลหะอัลคาไลออกไซด์** สูตรที่รายงานใช้ Na₂O/K₂O 4% โดยน้ำหนักและผงเงินหยาบ ความต้านทานสัมผัส 0.55 mΩ·cm² เป็นเป้าหมายที่ยากสำหรับด้าน p-TOPCon เพสต์ทั่วไปอาจทำให้ความต้านทานอนุกรมเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วที่หน้าสัมผัส p+ 5. **ควบคุมความกว้างของฟิงเกอร์ด้านหน้าที่ประมาณ 210 μm** ความแม่นยำของการสร้างลายเลเซอร์ต้องสอดคล้องกับรูปทรงหน้าสัมผัสที่แคบลง การลดความกว้างของฟิงเกอร์ลงอีกอาจลดการดูดกลืนปรสิตอีกครั้ง แต่ความเสียหายจากเลเซอร์ต่อชั้นซ้อนสองชั้นจะต้องได้รับการประเมินใหม่ ## คำถามถัดไปสำหรับ BC-TOPCon โครงสร้าง 26.34% ที่มีฟิงเกอร์ n-TOPCon ด้านหน้าและหน้าสัมผัสด้านหลัง p-TOPCon สองชั้นแบบเต็มพื้นที่ เป็นเวอร์ชันบางส่วนของ BC-TOPCon ขั้นตอนต่อไปตามตรรกะคือการทำให้หน้าสัมผัส p-TOPCon ด้านหลังเป็นแบบเฉพาะจุดเช่นกัน โดยจัดเรียงฟิงเกอร์ชนิด p และฟิงเกอร์ชนิด n ด้านหลังในรูปแบบสลับฟันปลา ซึ่งจะสร้างโครงสร้าง BC-TOPCon ที่แท้จริง สิ่งนี้ทำให้เกิดคำถามใหม่ ชั้น SiOx กลางในหน้าสัมผัส p-TOPCon ด้านหลังแบบเฉพาะจุดควรเป็น SiO₂ บริสุทธิ์หรือควรแทนที่ด้วย **SiOx ที่เจือไนโตรเจนตามแนวทางแบบ OGO** เพื่อเสริมสร้างการพาสซิเวชันสนาม? อีกทางเลือกหนึ่งคือ **ชั้นซ้อน AlOx/SiOx**โดยใช้เอฟเฟกต์สนามของอะลูมิเนียมออกไซด์ร่วมกับหน้าสัมผัส SiOx/poly-Si สองชั้น การศึกษา 26.34% ไม่ได้สำรวจประเด็นนี้เนื่องจากหน้าสัมผัส p-TOPCon ด้านหลังยังคงเป็นแบบเต็มพื้นที่และไม่ขึ้นอยู่กับการพาสซิเวชันสนามแบบเฉพาะจุด อย่างไรก็ตาม เมื่อหน้าสัมผัสชนิด p ด้านหลังกลายเป็นแบบฟิงเกอร์ การรวมกันของการพาสซิเวชันสนาม AlOx และโครงสร้าง SiOx/poly-Si สองชั้นอาจกลายเป็นตัวเลือกขั้นตอนถัดไปที่สำคัญ นอกจากนี้ยังมีคำถามเกี่ยวกับกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับแทนเดม เซลล์ล่างที่ใช้ในแทนเดม 32.73% มีพื้นผิวด้านหน้าที่เป็นเท็กซ์เจอร์ การจำลองในรูปที่ 1 ระบุว่าการกำหนดค่า TOPCon แบบฟิงเกอร์สองด้านอาจมีศักยภาพแทนเดมสูงกว่าโครงสร้าง TOPCon สองด้านแบบเต็มพื้นที่ แต่ควรควบคุมความสม่ำเสมอของโฟโตลูมิเนสเซนซ์บนพื้นผิวด้านหน้าที่มีพื้นผิวเป็นลายหยาบและมีนิ้ว n-TOPCon เฉพาะจุดอย่างไร? พลังงานเลเซอร์ที่มากเกินไปอาจทำให้ปลายพีระมิดไหม้หรือแบนราบเฉพาะจุด ซึ่งอาจกินส่วนหนึ่งของหน้าต่างกระบวนการที่เกิดจากการปรับสภาพพีระมิดให้โค้งมน จากการศึกษาทั้งสามชิ้น—ตั้งแต่เซลล์ Das Solar 25.4% ไปจนถึงเซลล์ 26.66% และ 26.34%—ตรรกะของหน้าสัมผัสด้านหลังได้พัฒนาไปสามรุ่น: **การควบคุมรูพรุนของออกไซด์, การป้องกันสองชั้นต่อการทะลุของเงิน, และสุดท้ายคือ p-TOPCon สองชั้นรวมกับโลหะที่ปรับเปลี่ยนด้วยโลหะอัลคาไล** ## มุมมองของ Ooitech หน้าต่างกระบวนการคือคอขวดที่แท้จริงที่นี่ เมื่อ p-TOPCon ย้ายจากหน้าสัมผัสด้านหลังแบบเต็มพื้นที่ไปสู่นิ้ว BC เฉพาะจุด ความต้านทานสัมผัส, ความเสียหายจากเลเซอร์, การกระตุ้นโบรอน และการพาสซิเวชันแบบสนามไฟฟ้าจะต้องถูกปรับให้เหมาะสมเป็นระบบที่เชื่อมโยงกัน ชั้น SiOx กลางที่บางกว่าอาจช่วยปกป้อง FF แต่ก็เหลือระยะขอบน้อยลงต่อการทะลุของเงินและความเสียหายที่อินเทอร์เฟซที่เกิดจากโบรอน ผลลัพธ์ที่มีประโยชน์ต่อไปคือผลลัพธ์ที่แสดงให้เห็นหน้าต่างการรวมระบบที่สมบูรณ์นี้บนเวเฟอร์ขนาดการผลิต ไม่ใช่แค่ค่าประสิทธิภาพสูงสุดเท่านั้น ## การอ่านเพิ่มเติมและข้อมูลพื้นฐาน เอกสารอ้างอิงสาธารณะเกี่ยวกับหัวข้อนี้ จัดพิมพ์โดยองค์กรที่ดูแลแผนงานเทคโนโลยีและข้อมูลตลาดของอุตสาหกรรม: - [VDMA — แผนงานเทคโนโลยีระหว่างประเทศสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — รายงานเซลล์แสงอาทิตย์](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — ข่าวอุตสาหกรรม PV ระดับโลกและเนื้อหาทางเทคนิค](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![เครื่องจักรริบบอน PV — สายการวาดลวดและชุบดีบุก](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051111285937.webp) - [** ooitech](./photovoltaic-ribbon-wire-drawing-and-tinning-integrated-production-line.html) - [** 819](./photovoltaic-ribbon-wire-drawing-and-tinning-integrated-production-line.html) ### เครื่องจักรริบบอน PV — สายการวาดลวดและชุบดีบุก สายการผลิตแบบบูรณาการสำหรับการวาดลวดและชุบดีบุกของริบบอนโซลาร์เซลล์: วิธีการวาดริบบอนโซลาร์แบบกลมและแบบแบน การเคลือบ และการม้วนในรอบเดียว พร้อมการตรวจสอบ ![ริบบอน PV และฟลักซ์ — ริบบอนบัดกรีอุณหภูมิต่ำ](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032717287347.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) - [** 21163](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) ### ริบบอน PV และฟลักซ์ — ริบบอนบัดกรีอุณหภูมิต่ำ ริบบอน PV และฟลักซ์สำหรับการเชื่อมต่อเซลล์แสงอาทิตย์: ริบบอนบัดกรีอุณหภูมิต่ำทำจากทองแดงชุบดีบุกความบริสุทธิ์สูง รองรับสายการผลิต MBB และ half-cut ![เครื่องทดสอบความต่อเนื่องของกราวด์ CHT9930A: 5-60A, 600W](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774605285835810.webp) - [** ooitech](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) - [** 645](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) ### เครื่องทดสอบความต่อเนื่องของกราวด์ CHT9930A: 5-60A, 600W เครื่องทดสอบความต่อเนื่องของสายดิน CHT9930A ให้กระแสไฟ DC เอาต์พุตแบบตั้งโปรแกรมได้ 5-60A พร้อมช่วงการวัด 0.01μΩ-600mΩ สำหรับความต้านทานการต่อลงดินของโมดูลแสงอาทิตย์ ![เครื่องตัดแถบ EVA และ TPT รุ่น C350-CQC: 30-80mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032714363679.webp) - [** Rachael](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) - [** 34728](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) ### เครื่องตัดแถบ EVA และ TPT รุ่น C350-CQC: 30-80mm เครื่องเจาะและตัดรุ่น C350-CQC – 30 ชิ้น/นาที ความแม่นยำ ±0.2 มม. สำหรับวัสดุพลังงานแสงอาทิตย์ EVA, TPT และ PPE การประมวลผลที่แม่นยำสำหรับบัสบาร์และ ![กล่องรวมสายและกล่องไดโอดโซลาร์ — ระดับ IP67/IP68](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032739568544.jpg.webp) - [** Rachael](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) - [** 15517](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) ### กล่องรวมสายและกล่องไดโอดโซลาร์ — ระดับ IP67/IP68 กล่องรวมสายและกล่องไดโอดโซลาร์พร้อมไดโอดบายพาสระดับ IP67/IP68: ป้องกันจุดร้อน ขั้วต่อ MC4 และตัวเลือกการตรวจสอบกระแสโมดูลของคุณ ![เครื่องลามิเนต BIPV อัตโนมัติแบบสองห้องชั้นเดียว](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63342](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### เครื่องลามิเนต BIPV อัตโนมัติแบบสองห้องชั้นเดียว Ooitech OTCY-2754DD เครื่องลามิเนต BIPV อัตโนมัติแบบชั้นเดียวสองห้อง มีพื้นที่ลามิเนตคู่ขนาด 2700x5400 มม. ให้ความร้อนสองชั้นบนและล่าง