# ซิลเวอร์เพสต์กัดทะลุ poly-Si ด้านหลังของ TOPCon ได้อย่างไร > เจาะลึกว่าเพสต์เงินด้านหลังซึมผ่าน poly-Si บนเซลล์ TOPCon ได้อย่างไร และทำไม poly-Si ชั้นเดียวจึงหยุดมันไม่ได้ ![ซิลเวอร์เพสต์กัดทะลุ poly-Si ด้านหลังของ TOPCon ได้อย่างไร](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260902/53eafcaf488a6278ffff7ea894bf8d5d.webp) - ** Jerry - ** 2026-09-02 - ** 211 ครั้งที่เข้าชม - ** [บล็อก](./Blog.html) ## ซิลเวอร์เพสต์กัดทะลุ poly-Si ด้านหลังของ TOPCon ได้อย่างไร **คำตอบสั้น:** ซิลเวอร์เพสต์กัดทะลุโพลีซิลิคอนที่ด้านหลังของเซลล์ TOPCon ด้วยเหตุผลตรงกันข้ามกับการกัดทะลุสารเคลือบด้านหน้า บนด้านหน้า เพสต์ต้องเจาะผ่านชั้นป้องกันการสะท้อนแสงเพื่อไปถึงอิมิตเตอร์ บนด้านหลังต้องสัมผัสกับชั้นโพลีซิลิคอนที่เจือซึ่งหนาเพียงประมาณ 100 nm วางอยู่เหนือทันเนลออกไซด์ที่อาจหนา 1.5 nm หากเพสต์กัดผ่านโพลีซิลิคอน จะไปถึงทันเนลออกไซด์และทำลายพาสซีเวชันที่โครงสร้างทั้งหมดมีอยู่เพื่อให้ได้มา ส่งผลให้คอนแท็กที่ได้ทางไฟฟ้าดีแต่เซลล์สูญเสียแรงดันไฟฟ้า ชั้นทำงานในการผลิตอยู่ที่ประมาณ 40 nm ถึง 60 nm ขึ้นอยู่กับสแต็ก โปรไฟล์การเผาและเคมีของเพสต์ต้องหยุดการกัดที่ความลึกที่เหมาะสม ซึ่งเป็นเหตุผลว่าทำไมสูตรการทำเมทัลไลเซชันด้านหลังจึงถูกพัฒนาควบคู่ไปกับขั้นตอนการสะสมชั้น การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## บทนำ ครั้งที่แล้วเราพูดถึงซิลเวอร์เพสต์ด้านหน้า ประเด็นหลักคือ "เผาทะลุ" [ทำไมกระบวนการเลเซอร์เดียวถึงสามารถบังคับให้เปลี่ยนซิลเวอร์เพสต์ด้านหน้าทั้งหมดได้?](https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzkwOTQwMTI1Ng==&mid=2247488486&idx=1&sn=43796068eea44f16d034c6f89db0c2e8&scene=21#wechat_redirect) ด้านหลังกลับตรงกันข้ามโดยสิ้นเชิง **ซิลเวอร์ยังต้องเข้าไป แต่เมื่อเข้าไปแล้ว มันต้องหยุดทันที** เพราะที่ด้านหน้า ถ้าเงินไม่ซึมเข้าไป ความต้านทานสัมผัสจะไม่ลดลง ส่วนด้านหลัง ถ้าเงินซึมลึกเกินไป มันจะทะลุตรงผ่านส่วนที่มีค่าที่สุดของ [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) — การสัมผัสแบบพาสซีเวต ดังนั้นการทำโลหะด้านหน้าคือ "ทำอย่างไรให้เข้าไป" ส่วนการทำโลหะด้านหลังคือ "ทำอย่างไรให้หยุดเมื่อเข้าไปแล้ว" บทความนี้จะเจาะลึกด้านหลังทั้งหมด: ทำไมซิลเวอร์ "กัดทะลุ" poly-Si เกิดอะไรขึ้นเมื่อมันทะลุ และการออกแบบ poly-Si สองชั้นล่าสุดสร้างถนนให้ซิลเวอร์ที่บอกว่า "หยุดเมื่อมาถึง" ได้อย่างไร ## ดูลักษณะด้านหลังก่อน ### โครงสร้างด้านหลังจริงมีลักษณะอย่างไร จากด้านนอกเข้าไปด้านใน โครงสร้างด้านหลังของ TOPCon เรียงประมาณนี้: ชั้นป้องกัน SiNx (ผู้ผลิตบางรายทำ ALD สองด้านและเพิ่มชั้น AlOx ที่ด้านหลังด้วย), poly-Si, ทันเนลออกไซด์ และใต้ลงไปคือซับสเตรตซิลิคอนชนิด n ความแตกต่างที่ใหญ่ที่สุดจากด้านหน้าคือชั้นล่างสุด — ทันเนลออกไซด์ ซึ่งหนาเพียงประมาณ 1–1.5 นาโนเมตร มันคือเส้นชีวิตของการพาสซิเวชันด้านหลังทั้งหมด คุณค่าของการพาสซิเวชันทั้งหมดของ poly-Si ขึ้นอยู่กับฟิล์มนี้ที่ต้องคงสภาพสมบูรณ์ ขอบเขตงานของซิลเวอร์เพสต์ด้านหลังก็แตกต่างจากด้านหน้าเช่นกัน การเผาทะลุชั้นป้องกัน SiNx ไม่สามารถข้ามได้ — นั่นคือตั๋วเข้าประตู เหมือนกับด้านหน้า แต่เป้าหมายคอนแทกต์ของมันอยู่ภายใน poly-Si poly-Si ถูกโดปอย่างหนัก มันเป็นชั้นนำไฟฟ้าได้เอง เมื่อซิลเวอร์ไปถึง poly-Si และเกิดคอนแทกต์ งานก็เสร็จสิ้น **จากนั้นมันต้องหยุด** หากเงินยังคงไหลลงไป ผ่านออกไซด์ของอุโมงค์และเข้าไปในซับสเตรตซิลิคอน — คอนแทคแบบพาสซิเวตจะตายทันที ศูนย์รวมการรวมตัวใหม่จะปรากฏขึ้นทั่วอินเทอร์เฟซ Voc ลดลง และรากฐานของเซลล์นี้จะพังทลาย หมายเหตุข้างสายการผลิต: ชั้น AlOx ด้านหลังยังคงเป็นตัวเลือกในตอนนี้ และผู้ผลิตหลายรายข้ามไป แต่เมื่อโครงสร้างเฉพาะที่ เช่น poly finger ด้านหลังและโครงสร้างอื่นๆ พัฒนาขึ้น ความต้องการพาสซิเวชันในบริเวณที่ไม่มีการเมทัลไลซ์จะเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ และชั้นพาสซิเวชันแบบไดอิเล็กทริก เช่น AlOx จะมีความสำคัญมากขึ้นอย่างชัดเจน **ดังนั้น ชั้นฟิล์มที่ดูเหมือน "ไม่จำเป็น" ในวันนี้อาจกำลังสำรองอินเทอร์เฟซสำหรับโครงสร้าง poly-Si เฉพาะที่รุ่นถัดไป** อ่านวิวัฒนาการนั้น แล้วคุณจะเห็นว่าการออกแบบฟิล์มด้านหลังกำลังปูทางสำหรับขั้นตอนถัดไป ## poly-Si ชั้นเดียว — ทำไมมันไม่สามารถรักษาแนวรับไว้ได้ ก่อนอื่น เงิน "กัด" เข้าไปได้อย่างไร ส่วนด้านหน้าอธิบายไว้แล้ว: ระหว่างการเผา เงินละลายในเฟสแก้วหลอมเหลวและเคลื่อนที่ไปพร้อมกับแก้ว ที่ด้านหลัง กลไกนี้ยังคงทำงานต่อไป — ความแตกต่างคือ อีมิตเตอร์ด้านหน้าต้อนรับการแทงของเงิน แต่ poly-Si ด้านหลังไม่สามารถทนต่อการที่เงินลึกลงไปได้ ปัญหาของ poly-Si ชั้นเดียวคือโครงสร้าง: มันสร้างจากเกรน และขอบเกรนวิ่งจากบนสุดถึงล่างสุด **ขอบเกรนเป็นช่องทางเร็วหลักสำหรับเงินที่จะเคลื่อนที่เข้าสู่ส่วนลึกของ poly-Si** เมื่อเงินเคลื่อนที่ลงไปตามขอบเกรนและไปถึงใกล้กับออกไซด์ของอุโมงค์ มันสามารถกระตุ้นความเสียหายเฉพาะที่หรือสร้างเส้นทางการทะลุของโลหะ ในที่สุดนำเงินเข้าไปในซับสเตรตซิลิคอน — และจากช่วงเวลานั้น พื้นฐานทางกายภาพของคอนแทคแบบพาสซิเวตก็หายไป นี่ไม่ใช่การคาดเดา แต่เป็นการสังเกตที่บันทึกไว้ ในเอกสาร 26.66% ที่ตีพิมพ์ใน *Nature Energy* โดยสถาบันวัสดุหนิงโปและ JinkoSolar HAADF และ HR-TEM ให้การตรวจร่างกายอย่างเต็มรูปแบบกับอินเทอร์เฟซการเผาของตัวอย่าง poly-Si ชั้นเดียว: อนุภาคนาโนเงินปรากฏกระจายอยู่ภายในซับสเตรตซิลิคอน โดยมีร่องรอยเงินวิ่งจาก poly-Si เข้าไปในซับสเตรต ออกไซด์ของอุโมงค์ยังคง intact แต่ไม่ได้หยุดเงิน — อุปสรรคเดียวไม่สามารถหยุดเงินที่ไหลลงไปตามขอบเกรนได้ ## การออกแบบสองชั้น: ไม่ได้ปิดกั้นอย่างเด็ดขาด แต่เปิดประตูไว้ ส่วนที่ขัดกับสัญชาตญาณของวิธีแก้ปัญหาในเอกสาร: **แทนที่จะปิดกั้นซิลเวอร์เดด พวกเขาสร้างถนนให้ซิลเวอร์ที่เขียนว่า "หยุดเมื่อถึงปลายทาง"** ด้านหลังถูกสร้างด้วยชั้นโพลี-Si สองชั้น รวมประมาณ 100 นาโนเมตร แต่ละชั้นทำหน้าที่ของตัวเอง **นี่อธิบายโครงสร้าง bilayer เฉพาะที่ใช้ในบทความ ไม่ใช่ทุก bilayer poly-Si จะเป็นไปตามการกำหนดค่า 60/40 นาโนเมตร แบบโดปหนัก/โดปเบานี้** **ชั้นนอก 60 นาโนเมตร โดปหนัก ส่วนใหญ่เป็นอสัณฐาน — ห้องรับรอง** มีขอบเกรนจำนวนมาก ความเข้มข้นฟอสฟอรัสสูง ซิลเวอร์เดินเข้าได้อย่างอิสระ เมื่อถึงตำแหน่ง มันจะสร้างหน้าสัมผัสโอห์มิกกับโพลี-Si ที่โดปหนัก นี่คือบทบาท "นำไฟฟ้า": ต้องเกิดหน้าสัมผัส กระแสต้องไหลออก **ชั้นใน 40 นาโนเมตร โดปเบา มีความเป็นผลึกสูง — ประตู** มีความเป็นผลึกสูง ความหนาแน่นขอบเกรนต่ำ ซิลเวอร์ไม่มีทางไปต่อเมื่อมาถึงที่นี่ นี่คือชั้นโครงสร้างที่ทำหน้าที่ "ปิดกั้น" **ทันเนลออกไซด์ — สิ่งกีดขวางทางเคมีสุดท้าย** มันไม่เพียงแต่บางทางกายภาพ ที่สำคัญกว่านั้น มันเปลี่ยนเงื่อนไขที่อินเทอร์เฟซสำหรับซิลเวอร์ที่จะเคลื่อนที่ต่อไปยังซับสเตรตซิลิคอนและสร้างเฟสโลหะที่เสถียร เมื่อซิลเวอร์ถูกหยุดใกล้โพลี-Si ที่มีความเป็นผลึกสูงและอินเทอร์เฟซ SiOx การสร้างเส้นทางการทะลุของโลหะลงไปถึงซับสเตรตจะยากขึ้นมาก ดังนั้น "เบรก" ที่แท้จริงไม่ได้ทำโดยชั้นใดชั้นหนึ่งเพียงลำพัง มันคือ **โพลี-Si ที่มีความเป็นผลึกสูง + ทันเนลออกไซด์** ร่วมกันที่สร้างแนวป้องกันสุดท้าย การเปรียบเทียบ HR-TEM ทำให้เห็นภาพชัดเจน: ในตัวอย่างชั้นเดียว ซิลเวอร์ทะลุเข้าไปในซับสเตรตเป็นจุดกระจาย ในตัวอย่าง bilayer หลังจากซิลเวอร์เจาะทะลุชั้นนอกส่วนใหญ่ มันถูกบังคับโดยชั้นในให้เป็น "รูปชาม" — มันแพร่กระจายไปด้านข้างแต่ไม่สามารถลงไปต่อได้ ผลกระทบก็ตรงไปตรงมาเช่นกัน: แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดโดยนัยเพิ่มขึ้นจาก 752 mV เป็น 757 mV **เบื้องหลังการเพิ่มขึ้น 5 mV นั้นคือข้อเท็จจริงหลักหนึ่งประการ — การทะลุของซิลเวอร์ถูกยับยั้งอย่างชัดเจน และพาสซิเวชันถูกคงไว้** 5 mV นี้ไม่ได้ถูก "สร้าง" มันถูก "รักษาไว้" — แรงดันไฟฟ้าที่มิฉะนั้นจะสูญหายไป หนึ่งประโยคที่สรุปการออกแบบนี้: ปัญญาในการปิดกั้นซิลเวอร์ไม่ได้อยู่ที่ "การอุด" แต่อยู่ที่ "การแบ่งชั้น" — ผู้ต้อนรับทำหน้าที่ต้อนรับ ผู้รักษาประตูรักษาประตู ชั้นนอกจัดการสร้างหน้าสัมผัส ชั้นในรักษาเส้นตาย และทันเนลออกไซด์เป็นตัวสำรองจุดหยุดสุดท้าย ## ผลตอบแทน ต้นทุน และตำแหน่งในอุตสาหกรรม ก่อนอื่นผลตอบแทน: Voc,i +5 mV เสาหลักด้านหลังของประสิทธิภาพที่ได้รับการรับรอง 26.66% นี้คือโครงสร้าง bilayer นี้โดยเฉพาะ ตอนนี้ต้นทุน ตรงไปตรงมา: การสะสมเพิ่มอีกหนึ่งครั้ง อินเทอร์เฟซเพิ่มอีกหนึ่งอัน ความซับซ้อนและต้นทุนของกระบวนการที่เพิ่มขึ้นนั้นมีจริง และบทความเองก็ยอมรับว่าชั้นนอกไม่ได้หยุดเงิน 100% — ประตูสุดท้ายนั้นอาศัยการรวมกันของ poly-Si ชั้นในบวกกับ tunnel oxide บนแผนที่อุตสาหกรรม นี่ไม่ใช่เรื่องครั้งเดียว JinkoSolar ที่ได้รับการรับรองก่อนหน้านี้ 26.35% bifacial TOPCon ใช้โครงสร้าง bilayer SiOx/poly-Si บวกกับการปรับเปลี่ยนแบบเลือกด้วยเลเซอร์พัลส์อัลตราไวโอเลต และทีมวิชาการมากกว่าหนึ่งทีมกำลังทำงานกับ poly-Si แบบสองชั้นและสามชั้น **การจัดชั้นฟังก์ชันของ poly-Si คือทิศทางที่อุตสาหกรรมกำลังมุ่งหน้าไป** — เบื้องหลังคือตรรกะเดียวกัน: แยกงานสองอย่างของ "หน้าสัมผัส" และ "passivation" ออกจากฟิล์มเดียว และมอบให้แต่ละชั้นของมันเอง ควรแยกความแตกต่างตรงนี้: แม้จะมี bilayer poly-Si เดียวกัน สถิติล่าสุดสองรายการนี้ใช้มันต่างกัน ในบทความ Jinko 26.35% (Yangzhou University + Jinko, EES) โครงสร้าง bilayer จับคู่กับการปรับเปลี่ยนด้วยเลเซอร์พัลส์อัลตราไวโอเลตกับการกัดแบบเปียกเพื่อทำให้ poly-Si ชั้นนอกบางลงอย่างเลือกสรรในบริเวณด้านหลังที่ไม่มีการทำโลหะ — เป้าหมายคือลดการดูดกลืนปรสิตและเพิ่ม bifaciality นั่นคือ "ปัญหาทางแสง" บทความ Ningbo 26.66% มุ่งเป้าโครงสร้าง bilayer ไปที่การบล็อกเงินและการรักษา passivation นั่นคือ "ปัญหาทางไฟฟ้า" Bilayer poly-Si เป็นเหมือนแพลตฟอร์ม — ทีมต่างกันแก้ปัญหาต่างกันบนมัน แต่ทิศทางเหมือนกัน: ให้แต่ละชั้นทำงานเพียงอย่างเดียว ในรายการของทีม Ye Jichun เองเกี่ยวกับกลไกการเพิ่มประสิทธิภาพขั้นถัดไปสำหรับ TOPCon โครงสร้าง bilayer poly-Si และ polysilicon เฉพาะที่ (poly finger) อยู่ด้านหน้าพอดี — บทความนี้ *Nature Energy* เพิ่งเปลี่ยนรายการแรกในรายการนั้นให้เป็นสถิติ ยังต้องสาดน้ำเย็น: สถิติเหล่านี้ทั้งหมดทำบนอุปกรณ์ห้องปฏิบัติการ บทความพูดเอง จากห้องปฏิบัติการไปยังสายการผลิตจำนวนมาก ผลผลิต เวลารอบ ต้นทุน — ทุกประตูต้องผ่านอีกครั้ง ## หนึ่งตารางเพื่อทำให้ชัดเจน | รายการ | ด้านหน้า | ด้านหลัง | | --- | --- | --- | | โลหะหันหน้า | ฟิล์มไดอิเล็กทริกหลายชั้น + อิมิตเตอร์ | SiNx + poly-Si + SiOx | | ปัญหาที่ใหญ่ที่สุด | เงินไม่ไหม้เข้า | เงินไหม้ลึกเกินไป | | การซ่อมแบบดั้งเดิม | เติมอะลูมิเนียมเพื่อเพิ่มการสัมผัส | การสัมผัสโดยตรงแบบชั้นโพลี-Si ชั้นเดียว | | ปัญหาใหม่ | อะลูมิเนียมทำลายการพาสซิเวชัน | เงินทะลุผ่านโพลี-Si | | วิธีแก้ปัญหาใหม่ | LECO + เงินเพสต์ที่ไม่มีอะลูมิเนียม | โพลี-Si สองชั้น | | แนวคิดหลัก | เผาให้แม่นยำ | หยุดให้แม่นยำ | ## สามประเด็นที่ต้องส่งต่อให้ทีมงานสายการผลิต **ประการแรก โรคด้านหลังและโรคด้านหน้าแสดงออกผ่านพารามิเตอร์ที่ต่างกันสองตัว** เมื่อด้านหน้ามีปัญหา มักจะแสดงที่ FF (ความต้านทานการสัมผัส) เมื่อด้านหลังมีปัญหา มักจะแสดงที่ Voc (การพาสซิเวชันถูกทะลุ) เมื่อคุณไล่ตามความผิดปกติของ Voc นอกจากการตรวจสอบกระบวนการพาสซิเวชันแล้ว อุณหภูมิการเผาและโครงสร้างโพลี-Si ควรอยู่ในรายการตรวจสอบด้วย **ประการที่สอง ระยะทางที่เงินเดินทางถูกกำหนดโดยโครงสร้าง การเผาเพียงควบคุมคันเร่ง** เงินจะลึกลงไปแค่ไหน ต้นทางคือการออกแบบโครงสร้างโพลี-Si: ชั้นเดียวหรือสองชั้น ความเป็นผลึกสูงหรือต่ำ การไล่ระดับความเข้มข้นของการโดป ถ้โครงสร้างไม่มีการป้องกัน ไม่ว่าการปรับการเผาจะละเอียดแค่ไหนก็ช่วยไม่ได้ **ประการที่สาม การแบ่งชั้นเป็นแนวโน้ม จับตาดูโครงสร้างรองรับอย่างใกล้ชิด** การแบ่งชั้นฟังก์ชันของโพลี-Si, โพลีฟิงเกอร์ด้านหลัง, AlOx ที่เปลี่ยนจากตัวเลือกเป็นสิ่งจำเป็น — วิวัฒนาการเหล่านี้เชื่อมโยงกันทั้งหมด เมื่อวางแผนกระบวนการ อย่ามองแค่ขั้นตอนเดียว ดูทิศทางที่โครงสร้างกำลังพัฒนา ดังนั้น ตัวขับเคลื่อนประสิทธิภาพที่แท้จริงในเมทัลไลเซชันของ TOPCon ไม่ใช่การเผาเงินให้ "แรงขึ้น" แต่คือการรู้ว่าเงินควรไปสิ้นสุดที่ใด ด้านหน้า: ให้มันเข้าไปอย่างแม่นยำ ด้านหลัง: ให้มันหยุดอย่างแม่นยำ **และก้าวต่อไปคือการทำให้ตัวเงินเองน้อยลงเรื่อยๆ** ## มุมมองของ Ooitech ส่วนที่มักทำให้เราเจ็บตัวบนหน้างานคือ ปัญหา Voc มักไม่ค่อยมาจากสาเหตุเดียว การที่ Voc ด้านหลังไม่ฟื้นตัวไม่ว่าจะปรับจูนช่วงการเผาอย่างไร มักเป็นเรื่องของโครงสร้าง ไม่ใช่เรื่องของเพสต์ และ bilayer poly-Si ก็คือการที่อุตสาหกรรมยอมรับในเรื่องนี้โดยพื้นฐาน ควรจำไว้ว่าตัวเลขเหล่านี้ยังมาจากเครื่องมือในห้องแล็บ ดังนั้นการข้ามไปสู่สายการผลิตจริงคือจุดที่ผลผลิตและรอบเวลาจะเป็นตัวชี้ขาด หากคุณชอบการวิเคราะห์ระดับเซลล์แบบนี้ ช่อง YouTube ที่ [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) มีเนื้อหาเพิ่มเติมจากภายในสายการผลิตโมดูลจริง --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![เครื่องต่อสตริงแบบชิงเกิล SL-30C: ±0.15mm, สตริง 1800mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774263321793147.webp) - [** ooitech](./automatic-shingled-stringer-sl-30c-shingled-solar-cell-welding-machine-ooitech.html) - [** 87629](./automatic-shingled-stringer-sl-30c-shingled-solar-cell-welding-machine-ooitech.html) ### เครื่องต่อสตริงแบบชิงเกิล SL-30C: ±0.15mm, สตริง 1800mm Ooitech SL-30C เครื่องเชื่อมเซลล์แสงอาทิตย์แบบซ้อนเกล็ดอัตโนมัติความเร็วสูง มีความสามารถ 3000-5000 ชิ้น/ชั่วโมง ตรวจสอบด้วยกล้อง CCD ![อุปกรณ์สายการผลิตแผงโซลาร์เซลล์อัตโนมัติเต็มรูปแบบ](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774401482439949.webp) - [** Rachael](./full-automatic-solar-panel-production-line-equipment-ooitech.html) - [** 98786](./full-automatic-solar-panel-production-line-equipment-ooitech.html) ### อุปกรณ์สายการผลิตแผงโซลาร์เซลล์อัตโนมัติเต็มรูปแบบ สายการผลิตแผงโซลาร์เซลล์แบบอัตโนมัติเต็มรูปแบบของ Ooitech ครอบคลุมการโหลดกระจก การวาง EVA การจัดวางสตริง การติดเทป การลามิเนต การตัดขอบ การใส่กรอบ ![SL-1000 เครื่องเชื่อมเซลล์แบบ Back Contact: 600 เซลล์/ชั่วโมง](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774263750726273.webp) - [** Rachael](./sunpower-back-contact-cell-welding-machine-sl-1000-ibc-back-contact-solar-cell-stringer.html) - [** 45600](./sunpower-back-contact-cell-welding-machine-sl-1000-ibc-back-contact-solar-cell-stringer.html) ### SL-1000 เครื่องเชื่อมเซลล์แบบ Back Contact: 600 เซลล์/ชั่วโมง เครื่องเชื่อมเซลล์แบบสัมผัสด้านหลัง SUNPOWER SL-1000 โดย Ooitech มาพร้อมการเชื่อมแบบแม่เหล็กไฟฟ้า การจัดตำแหน่งด้วยหุ่นยนต์ CCD+SCARA และการโหลดเซลล์แบบคู่ ![เครื่องทดสอบฉนวน Hipot CHT9951A: 0.1-10kV DC](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774601338282260.webp) - [** Rachael](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) - [** 58832](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) ### เครื่องทดสอบฉนวน Hipot CHT9951A: 0.1-10kV DC เครื่องทดสอบ hipot และความต้านทานฉนวน CHT9951A/CHT9951B สำหรับการทดสอบโมดูลโซลาร์ PV เอาต์พุต DC สูงสุด 10kV ความต้านทานฉนวนสูงสุด 99GΩ ![เครื่องจำลองแสงอาทิตย์ OTMT-A: Class A, ความไม่เสถียร ≤±1%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774513832212306.jpg) - [** ooitech](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) - [** 779](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) ### เครื่องจำลองแสงอาทิตย์ OTMT-A: Class A, ความไม่เสถียร ≤±1% เครื่องทดสอบแผงโซลาร์และเครื่องจำลองแสงอาทิตย์ Ooitech OTMT-A เป็นระบบทดสอบ IV โมดูลโซลาร์ระดับ AAA ที่ใช้เทคโนโลยีหลอดไฟซีนอน สอดคล้องกับ IEC 60904-9 ![AM050FH MBB Tabber Stringer: 6800 เส้น/ชม., ±0.05mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774262936967131.webp) - [** ooitech](./am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html) - [** 56990](./am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html) ### AM050FH MBB Tabber Stringer: 6800 เส้น/ชม., ±0.05mm เครื่องเชื่อมต่อเซลล์แสงอาทิตย์อัตโนมัติ: AM050FH เชื่อมเซลล์แบบมัลติบัสบาร์พร้อมเลเซอร์ตัดครึ่งและตัด 1/3 บนแพลตฟอร์มเดียว สำหรับสายการผลิต MBB และแบบตัดครึ่ง