# รูเข็มในเซลล์ TOPCon: เส้นทางที่น่าประหลาดใจ > งานวิจัยใหม่เปิดเผยรูเข็ม SiOx สองประเภทในเซลล์ TOPCon การทำพาสซีเวชันรูเข็มด้วยออกซิเจนตกค้างช่วยเพิ่มประสิทธิภาพได้ถึง 26.55% ![รูเข็มในเซลล์ TOPCon: เส้นทางที่น่าประหลาดใจ](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260717/8f4e05ab43e74a832b2faee10f80bb99.webp) - ** 2026-07-17 - ** 222 ครั้งที่เข้าชม - ** [บล็อก](./Blog.html) ## รูเข็มในเซลล์ TOPCon: เส้นทางที่น่าประหลาดใจ **คำตอบสั้น:** งานวิจัยเกี่ยวกับเซลล์ TOPCon พบว่าการตั้งใจปล่อยให้มีออกไซด์บางในปริมาณที่ควบคุมไว้สามารถปรับปรุงการพาสซิเวชันแทนที่จะทำให้เสื่อมลง ซึ่งเป็นการพลิกสมมติฐานที่มีมานาน การศึกษานี้วัดชั้นออกไซด์ในช่วง 0.2 nm และ 0.3 nm เทียบกับค่าอ้างอิงที่ 1.7 nm และพบว่าออกไซด์ที่บางกว่าซึ่งตั้งใจคงไว้ไม่ได้เพิ่มความต้านทานเพียงอย่างเดียว ทันเนลออกไซด์ในเซลล์ TOPCon ต้องบางพอให้ตัวพาทะลุผ่านได้และหนาพอที่จะพาสซิเวตพื้นผิว โดยค่าเป้าหมายทั่วไปอยู่ที่หนึ่งหรือสองนาโนเมตร สิ่งที่ผลลัพธ์บ่งชี้คือขอบเขตนั้นไม่คมชัดอย่างที่เคยสันนิษฐาน และสถานะทางเคมีของรอยต่อมีความสำคัญพอ ๆ กับความหนา สำหรับสายการผลิต สิ่งนี้ทำให้ความสนใจเปลี่ยนไปสู่การควบคุมรอยต่อแทนที่จะมุ่งที่ความหนาเพียงอย่างเดียว การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## ภาพรวม นี่คือสิ่งที่พลิกสมมติฐานที่มีมานานในเซลล์สุริยะซิลิคอน นักวิจัยพบว่าการจงใจทิ้ง "รูเข็ม" บางอย่างไว้ในชั้น SiOx ของเซลล์ [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) สามารถดันประสิทธิภาพขึ้นไปถึง 26.55% แทนที่จะฉุดให้ต่ำลง ข้อค้นพบสำคัญ: รูพรุนในออกไซด์อุโมงค์แบ่งออกเป็นสองประเภท ประเภทหนึ่งคือชนิด recombination (ขาดออกซิเจน ซึ่งโพลี-Si สัมผัสกับ c-Si โดยตรง ไม่ดี) อีกประเภทคือชนิดพาสซิเวชัน (ออกซิเจนที่เหลืออยู่ยังคงอยู่ ทำให้พันธะห้อยเป็นพาสซิเวชันในขณะที่ยังอนุญาตให้เกิดอุโมงค์ได้ ดี) ชนิดพาสซิเวชันมีขนาดหน้าตัดประมาณ 1.6 ± 0.2 nm × 1.4 ± 0.3 nm โดยมีความหนาแน่นเชิงพื้นที่ 2 × 10¹² cm⁻² แบบจำลอง Fischer แสดงให้เห็นว่าสิ่งที่กำหนดประสิทธิภาพของอุปกรณ์ไม่ใช่รูปทรงของรูพรุน แต่เป็นว่ารูพรุนถูกพาสซิเวชันหรือไม่ อ้างอิง: *การทำให้รูพรุนเป็นพาสซิเวชันสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนพื้นที่ขนาดใหญ่และประสิทธิภาพสูงที่มีหน้าสัมผัสพาสซิเวชันด้วยออกไซด์อุโมงค์*, Nat Commun 17, 2490 (2026). [https://doi.org/10.1038/s41467-026-70511-2](https://doi.org/10.1038/s41467-026-70511-2) ## พื้นหลังการวิจัยและปัญหาที่ติดขัด TOPCon เป็นเทคโนโลยีหลักสำหรับซิลิคอนชนิด n ในปัจจุบัน Runergy ทำสถิติ 26.55% บนพื้นที่ 335 cm², Jinko ซ้อน TOPCon กับ perovskite ได้ 33.24% และ n-TOPCon ด้านเดียวมีเพดานทางทฤษฎีที่ 27.79% แต่ไม่มีใครระบุได้แน่ชัดว่ารูพรุนในชั้น SiOx ที่เป็นอินเทอร์เฟซมีบทบาทอย่างไร มุมมองดั้งเดิม: รูพรุนหมายถึงโพลี-Si เจาะเข้าไปใน c-Si โดยตรง การพาสซิเวชันด้วยออกซิเจนล้มเหลว ข่าวร้าย ความเป็นจริงซับซ้อนกว่า ออกไซด์หนาเกินไป (>1.7 nm) พาสซิเวชันดีแต่อุโมงค์ไม่ดี ดังนั้น FF ลดลง ออกไซด์บางเกินไป (<1.3 nm) หมายถึงมีรูพรุนมากขึ้น และตอนนี้คุณกังวลว่า Voc จะลดลง ผู้เขียนแบ่งความหนาของออกไซด์และการกระจายของออกซิเจนออกเป็นสามกรณี (ส่วนบทนำ): - กรณีที่ 1: ออกไซด์หนา, การพาสซิเวชันใช้ได้, การทันเนลลิงไม่เหมาะสม - กรณีที่ 2: ออกไซด์บางร่วมกับการขาดออกซิเจน ทำให้เกิดรูพรุนแบบรีคอมบิเนชัน ("รูพรุนที่ไม่ดี" แบบคลาสสิก) - กรณีที่ 3: ออกไซด์บางแต่ออกซิเจนยังคงซึมเข้าไปในรูพรุน ทำให้เกิดรูพรุนแบบพาสซิเวต (การค้นพบใหม่ที่นี่) ก่อนหน้านี้ ความละเอียดของ HR-TEM ไม่ดีพอที่จะเห็นคุณสมบัติที่ต่ำกว่า 2 nm วรรณกรรมรายงานเส้นผ่านศูนย์กลางรูพรุน 5 nm ถึง 200 nm และความหนาแน่น 10⁶ ถึง 10⁸ cm⁻² ซึ่งทั้งหมดเป็นเพียง "รูใหญ่" การกัดแบบเลือกและ c-AFM อาศัยความแตกต่างของอัตราการกัดระหว่าง Si และ SiOx ดังนั้นบริเวณที่มีออกซิเจนตกค้างจึงไม่ถูกกัดเปิด รูพรุนแบบพาสซิเวตถูกคัดออกโดยธรรมชาติด้วยวิธีการเหล่านี้ นั่นคือสาเหตุที่กรณีที่ 3 ไม่ถูกค้นพบเป็นเวลานาน ## กลไก: รูพรุนสองประเภท (รูปที่ 2) HAADF-STEM ที่แก้ไขความคลาดเคลื่อน (JEM ARM200F และ Spectra 300, 200/300 kV) สแกนรอยต่อ poly-Si/SiOx/c-Si บนเวเฟอร์ประสิทธิภาพสูง (25.40%) และเวเฟอร์ควบคุมประสิทธิภาพต่ำ (24.07%) | ประเภท | สถานะออกซิเจน | ขนาด (ประสิทธิภาพสูง/ต่ำ) | EELS O-K edge | | --- | --- | --- | --- | | การรวมตัวใหม่ | ขาดออกซิเจน, โครงผลึก poly/c-Si เชื่อมต่อโดยตรง | เวเฟอร์ประสิทธิภาพต่ำ ~1.37 × 1.35 nm | หุบเขาออกซิเจนลึก | | พาสซิเวต | มีออกซิเจนตกค้าง, พันธะห้อยถูกพาสซิเวต | เวเฟอร์ประสิทธิภาพสูง 1.55 × 1.25 nm | สัญญาณออกซิเจนยังคงมองเห็นได้, หุบเขาออกซิเจนตื้น | ### ประเด็นสำคัญ: รูพรุนบนเวเฟอร์ประสิทธิภาพสูงนั้น เล็กกว่าและคงออกซิเจนไว้ได้ดีกว่า ขนาดทั้งหมดมีขนาดเล็กกว่าที่รายงานในวรรณกรรมก่อนหน้านี้หนึ่งลำดับความสำคัญ ผลลัพธ์แบบจำลองจุดสัมผัสของ Fischer (รูปที่ 3d ในต้นฉบับ): - เศษส่วนพื้นที่รูพรุน f = πr²/P² แต่ J₀ ไม่ไวต่อ f สิ่งที่ครอบงำจริงๆ คือความเร็วการรวมตัวที่พื้นผิว S ที่รูพรุน - ประมาณ f ≈ 0.1, เมื่อ S ≳ 10³ cm/s, J₀ จะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และจะอิ่มตัวเมื่อ S > 10⁵ cm/s - ความหมาย: กุญแจสู่ประสิทธิภาพสูงไม่ใช่ "ไม่มีรูเข็ม" แต่เป็น "รูเข็มที่ถูกพาสซิเวต" นี่คือจุดเด่นที่สุดของบทความทั้งหมด ในเรื่องความหนาแน่น นี่ถือเป็นการปฏิวัติ สถิติจากการตัดขวาง X-Y แบบตั้งฉากบนเวเฟอร์ 40 แผ่น (ประสิทธิภาพสูงและต่ำ) ให้ค่า 2 × 10¹² cm⁻² สำหรับรูเข็มแบบพาสซิเวต และ 3 × 10¹² cm⁻² สำหรับรูเข็มแบบรีคอมบิเนชัน ซึ่งสูงกว่าค่าใน文献 4 ถึง 6 อันดับ สามเหตุผลที่ซ้อนกัน: ประการแรก แนวคิดเปลี่ยนไป ทำให้ nanodefects แบบพาสซิเวตที่เคยถูกคัดออกกลายเป็นสิ่งที่มองเห็นได้; ประการที่สอง ตัวอย่างเป็นเวเฟอร์ที่ผ่านการปรับให้เหมาะสมในอุตสาหกรรมที่มีประสิทธิภาพมากกว่า 25% ไม่ใช่โครงสร้างทดสอบ; ประการที่สาม วิธีที่ใช้คือ HAADF ระดับอะตอม และวิธีการทางอ้อมไม่สามารถมองเห็นบริเวณที่มีออกซิเจนขนาดต่ำกว่า 2 nm ได้ เพื่อป้องกันการซ้อนทับตามทิศทางลำแสงจากตัวอย่าง TEM ที่หนา 50 ถึง 150 nm ผู้เขียนใช้ 4D-STEM ptychography ตามแนวความหนาเพื่อยืนยันว่าสถิติความหนาแน่นไม่ถูกบิดเบือนจากการซ้อนทับของภาพฉาย ## จุดลงจอดของกระบวนการ: ออกซิเดชันสองขั้นตอนบวกการขัดหลังบวกการ耦合โพลีสามชั้น ตัวแปรจาก Methods ดั้งเดิมบวก SI (ตารางเสริม 1): - ออกซิเดชันสองขั้นตอน: ขั้นแรก O₂ ออกซิเดชันเป็น SiO₂ บาง จากนั้นขั้นตอนที่ขาดออกซิเจน (ไม่มีการป้อนออกซิเจน) ชนิดพาสซิเวตต้องการเวลาไหลของออกซิเจนนานกว่า อุณหภูมิสูงกว่า การไหลมากกว่า และความดันสูงกว่า ซึ่งส่งเสริมให้เกิดออกไซด์ที่สม่ำเสมอและหนาแน่น - การแพร่ POCl₃: อุณหภูมิการสะสมต่ำลงบวกเวลาสั้นลงช่วยปรับปรุงการตกผลึกของโพลีและยับยั้งรูเข็มแบบรีคอมบิเนชัน - ลักษณะการขัดหลังอยู่ต้นน้ำของความสม่ำเสมอของความหนาออกไซด์ ทั้งสามต้องปรับร่วมกันเพื่อให้ได้ Case 3 อย่างเสถียร ## การเปรียบเทียบประสิทธิภาพ (ข้อมูลจริงจาก Fig. 4) ตัวอย่างโพลี-Si/SiOx สองด้านสมมาตร (n-Si 1–3 Ω·cm, ขัดสองด้าน): - τeff: 8.9 ms สำหรับประสิทธิภาพสูง เทียบกับ 2.96 ms สำหรับกลุ่มควบคุม (การฉีด 5×10¹⁵ cm⁻³) - J₀: 2.6 เทียบกับ 10.6 fA/cm² - ΔVoc ที่วัดได้คือ 15.9 mV แต่ความแตกต่างของ J₀ เพียงอย่างเดียวอธิบายได้เพียง ~11 mV ส่วนที่เหลือ ~5 mV ผู้เขียนระบุว่าเกิดจากอายุการใช้งาน SRH ใน bulk ที่ดีขึ้น การอบชุบที่เหมาะสม แม้จะสร้างรูเข็มแบบพาสซิเวต แต่ยังช่วย getter สิ่งเจือปนโลหะ (อ้างอิงงาน POLO 25% ของ Krügener) การแก้ไขทั้งอินเทอร์เฟซและ bulk พร้อมกันคือสูตรสำเร็จในการข้าม 25% สำหรับ FF ความแตกต่างหลักมาจาก Rs: - Rs: 357 (ประสิทธิภาพสูง) เทียบกับ 619 mΩ·cm² (กลุ่มควบคุม), วัดด้วย Suns-Voc - ρc (TLM): 4.6 เทียบกับ 5.4 mΩ·cm² ประเด็นที่ขัดกับสัญชาตญาณ: ตามตรรกะที่ว่า "รูเข็มที่หนาแน่นกว่าทำให้ ρc ต่ำลง" รูเข็มที่ทำให้เกิดการพาสซิเวชันมากขึ้นบนเวเฟอร์ประสิทธิภาพสูงควรหมายถึง ρc ที่ต่ำกว่า และแน่นอน 4.6 < 5.4 แต่ผู้เขียนเพิ่มความซับซ้อน ใกล้รูเข็มประเภทที่เกิดการรวมตัวกันใหม่ ฟอสฟอรัสจะแพร่เข้าไปในเวเฟอร์ ในขณะที่ประเภทที่ทำให้เกิดการพาสซิเวชันจะถูกบล็อกโดยออกซิเจน (โปรไฟล์การโด๊ปจาก EDS ในรูปที่ 10 เสริม) ดังนั้นโปรไฟล์การโด๊ปและความต้านทานสัมผัสจึงเป็นไปตามตรรกะสองแบบที่แยกจากกัน และคุณไม่สามารถอธิบายได้ด้วยความหนาแน่นของรูเข็มเพียงอย่างเดียว PL มีความสม่ำเสมอทั่วทั้งเวเฟอร์ และการทำแผนที่ Corescan ของการกระจาย Voc ก็คงความสม่ำเสมอในพื้นที่ขนาดใหญ่เช่นกัน ## หนึ่งบรรทัดสำหรับอุตสาหกรรม บทความนี้ผลักดันอินเทอร์เฟซ TOPCon จากเรื่องราวแบบสองทางเลือก "ออกไซด์ที่สมบูรณ์เทียบกับการรั่วไหลของรูเข็ม" ไปเป็นแบบสามทางเลือก: "รูเข็มก็ดีได้เช่นกัน ตราบใดที่ยังมีออกซิเจนอยู่" สิ่งที่อุตสาหกรรมต้องทำต่อไปไม่ใช่การหมกมุ่นกับรูเข็มเป็นศูนย์ แต่เป็นการปรับแต่งกระบวนการขัดหลัง การออกซิเดชัน และการสะสมโพลี เพื่อให้รูเข็มมีออกซิเจน เวเฟอร์ของ Daheng ที่ประสิทธิภาพ 25.40% บนพื้นที่ 333.3 ซม.² ได้พิสูจน์แล้วว่าเส้นทางนี้ใช้ได้ผล ## มุมมองของ Ooitech สิ่งที่โดดเด่นสำหรับเราที่นี่คือว่าสิ่งนี้ขึ้นอยู่กับห่วงโซ่กระบวนการเป็นอย่างมาก ไม่ใช่แค่การออกแบบเซลล์เท่านั้น การออกซิเดชันสองขั้นตอน การปรับแต่ง POCl₃ และการขัดหลังต้องทำงานร่วมกัน ซึ่งเป็นการเชื่อมโยงที่มักจะสูญหายไปเมื่อสายการผลิตถูกประกอบขึ้นเป็นชิ้นส่วน ในด้านโมดูลเราเห็นรูปแบบเดียวกัน โดยที่ค่าความคลาดเคลื่อนของการเคลือบและการทำสตริงจะกำหนดอย่างเงียบๆ ว่าเซลล์ที่ดีจะคง Voc ไว้ได้หรือไม่ หากคุณต้องการดูรายละเอียดเพิ่มเติมว่ากระบวนการที่ไวต่ออินเทอร์เฟซเหล่านี้ถูกนำไปใช้ในโรงงานผลิตจริงได้อย่างไร การเดินชมโรงงานของเราบน YouTube ([www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech)) ก็คุ้มค่าที่จะกดติดตาม --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![เครื่องทดสอบ EL แบบพกพา: 24MP, ตรวจจับรอยร้าว 0.2mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051214015103.webp) - [** ooitech](./portable-hd-el-tester-for-solar-module-inspection.html) - [** 751](./portable-hd-el-tester-for-solar-module-inspection.html) ### เครื่องทดสอบ EL แบบพกพา: 24MP, ตรวจจับรอยร้าว 0.2mm เครื่องทดสอบ EL แบบพกพาความละเอียดสูงพร้อมกล้องอินฟราเรดโฟกัสอัตโนมัติ 24MP สำหรับการทดสอบอิเล็กโทรลูมิเนสเซนซ์ของโมดูลโซลาร์ ![เครื่องทดสอบความปลอดภัย PV รุ่น CHT9980A: 8kV, ความละเอียด 0.001kV](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032763823477.jpg) - [** Rachael](./cht9980a-cht9981a-pv-safety-comprehensive-tester-solar-panel-hipot-insulation-ground-continuity-tester.html) - [** 83878](./cht9980a-cht9981a-pv-safety-comprehensive-tester-solar-panel-hipot-insulation-ground-continuity-tester.html) ### เครื่องทดสอบความปลอดภัย PV รุ่น CHT9980A: 8kV, ความละเอียด 0.001kV เครื่องทดสอบความปลอดภัย PV แบบครบวงจร CHT9980A/CHT9981A เป็นเครื่องมือ 3-in-1 ประสิทธิภาพสูงที่รวมการทดสอบแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงแบบ withstand voltage, ความต้านทานฉนวน ![เครื่องถอดกรอบแผงโซลาร์เซลล์: 120 แผง/ชั่วโมง](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774608027244403.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Frame-Removal-Machine-High-Efficiency-Automated-Deframing-Equipment.html) - [** 73646](./Solar-Panel-Frame-Removal-Machine-High-Efficiency-Automated-Deframing-Equipment.html) ### เครื่องถอดกรอบแผงโซลาร์เซลล์: 120 แผง/ชั่วโมง เครื่องถอดกรอบแผงโซลาร์เซลล์แบบไฮดรอลิก – การถอดกรอบอัตโนมัติสำหรับการรีไซเคิลโมดูล PV อัตราการแตกหักต่ำ รองรับแผงหลายขนาด ![เครื่องดึงลวดสำหรับสายการผลิตแถบโซลาร์](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051187922761.webp) - [** ooitech](./wire-drawing-machine-for-solar-ribbon-production-line.html) - [** 604](./wire-drawing-machine-for-solar-ribbon-production-line.html) ### เครื่องดึงลวดสำหรับสายการผลิตแถบโซลาร์ เครื่องดึงลวดขั้นกลางระดับมืออาชีพสำหรับสายการผลิตริบบอนโซลาร์เซลล์ ออกแบบเป็นแบบสี่แกนแนวนอน ![เซลล์แสงอาทิตย์สำหรับโมดูล PV](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774581692247238.webp) - [** Rachael](./Professional-Solar-Cell-Solutions-for-Modern-PV-Panel-Manufacturing-Ooitech.html) - [** 71197](./Professional-Solar-Cell-Solutions-for-Modern-PV-Panel-Manufacturing-Ooitech.html) ### เซลล์แสงอาทิตย์สำหรับโมดูล PV อุปกรณ์แปรรูปเซลล์แสงอาทิตย์สำหรับเซลล์ PERC, TOPCon, HJT และ BC – การตัด การต่อสตริง การทดสอบ รองรับขนาด G1/M6/M10/M12 ![XJCM-13A+ เครื่องทดสอบ IV โมดูลโซลาร์: คลาส A+, 25s](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506523267868.webp) - [** Rachael](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) - [** 67567](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) ### XJCM-13A+ เครื่องทดสอบ IV โมดูลโซลาร์: คลาส A+, 25s เครื่องทดสอบ IV รุ่น XJCM-13A2615 – A+A+A+, 2600×1500mm, พัลส์ 10–100ms สำหรับ PERC, HJT, TOPCon และ IBC ขจัดผลกระทบจากคาปาซิแตนซ์ เป็นไปตามมาตรฐาน IEC 60904-9:2020