# เทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ TBC (TOPCon Back Contact): ฉบับเต็ม > คำอธิบายโดยละเอียดของเทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ TBC (TOPCon Back Contact / POLO-IBC) ครอบคลุมโครงสร้าง ขั้นตอนกระบวนการทั้งหมด ![เทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ TBC (TOPCon Back Contact): ฉบับเต็ม](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260712/b328022a0ca3c179e39311d2ccf4fb5d.webp) - ** 2026-07-12 - ** 438 ครั้งที่เข้าชม - ** [บล็อก](./Blog.html) ## เทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ TBC (TOPCon Back Contact): ฉบับเต็ม **คำตอบสั้น:** TBC หรือ TOPCon back contact เป็นเซลล์แบบ back-contact ที่ใช้หน้าสัมผัสแบบ passivating TOPCon ด้านหลังแทนที่จะเป็นหน้าสัมผัสแบบ heterojunction โดยจัดอยู่ในลำดับเส้นทางที่กว้างขึ้นซึ่งอุตสาหกรรมกำลังเคลื่อนจากพื้นผิวด้านหลังแบบสม่ำเสมอไปสู่สถาปัตยกรรมด้านหลังที่แตกต่างกันตามพื้นที่ โดยกำหนดประเภทหน้าสัมผัสที่แตกต่างกันให้กับแต่ละบริเวณของด้านหลัง สำหรับผู้ผลิต ความสำคัญของ TBC คือความเข้ากันได้ของกระบวนการ เนื่องจากมันสร้างต่อยอดจากขั้นตอนกระบวนการ TOPCon ที่สายการผลิตดำเนินอยู่แล้ว จึงเป็นรูปแบบ back-contact ที่มีต้นทุนการนำมาใช้น้อยที่สุดจากฐาน TOPCon ที่ติดตั้งอยู่แล้ว งานด้านการวัดและcharacterisationที่เกี่ยวข้อง — เครื่องมือวัดอายุพาหะเช่นระดับ WCT-120 — กลายเป็นสิ่งสำคัญมากขึ้นกับ TBC มากกว่าเซลล์แบบ front-contact เพราะลวดลายด้านหลังคือจุดที่คุณภาพการ passivation เป็นตัวกำหนดประสิทธิภาพจริง ๆ การตรวจสอบด้านหลังก็กลายเป็นเครื่องมือด้านผลผลิตมากกว่าการตรวจสอบคุณภาพ การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## ภาพรวมเทคโนโลยี ตำแหน่งของ TBC ในลำดับเส้นทางที่กว้างขึ้น และเหตุใดความเข้ากันได้ของกระบวนการจึงสำคัญกว่าโครงสร้างในตอนนี้ มีอธิบายไว้ใน [แผนงานเทคโนโลยีเซลล์ BC: จากโครงสร้างสู่กระบวนการ](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html). เนื้อหาด้านล่างนี้แชร์เพื่อการอ้างอิงเท่านั้น หากมีการละเมิดทางเทคนิคหรือคำแนะนำที่ไม่ถูกต้อง โปรดติดต่อผู้เขียนเพื่อลบหรือแก้ไข ### เซลล์ TBC คืออะไร? TBC ย่อมาจาก [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) Back Contact โดยผสมผสานการพาสซีเวชันแบบ TOPCon (ทันเนลออกไซด์บวกพอลิซิลิคอน) เข้ากับโครงสร้างอินเทอร์ดิจิเทตแบ็กคอนแทกต์แบบ IBC จึงมีคนเรียกอีกชื่อหนึ่งว่าเซลล์ POLO-IBC เป็นการบูรณาการเชิงลึกของการพาสซีฟแบบ TOPCon tunnel oxide / poly-Si เข้ากับรูปแบบ back contact แบบ IBC ทำให้ได้ทั้งการพาสซีฟด้านหลังที่แข็งแกร่งของ TOPCon และข้อดีของ IBC ที่ไม่มีเงาจาก gridline ด้านหน้า โดยกระแสทั้งหมดถูกเก็บที่ด้านหลัง ผลลัพธ์คือแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดที่สูงขึ้นและกระแสไฟฟ้าลัดวงจรที่สูงขึ้น เป็นหนึ่งในแนวทางหลักของเซลล์ชนิด N ประสิทธิภาพสูงสำหรับรุ่นต่อไป ### ข้อได้เปรียบหลัก - ไม่มีเส้นตารางโลหะด้านหน้า ดังนั้นการสูญเสียจากการบังแดดด้านหน้าจึงถูกกำจัด และ Isc เพิ่มขึ้น - การพาสซีฟแบบ tunnel ของ TOPCon ลดการรวมตัวใหม่ที่ด้านหลังและเพิ่ม Voc - รูปแบบ back contact แบบสลับ P/N ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพเส้นทางการเก็บประจุและลดความต้านทานอนุกรม - เมื่อเทียบกับ TOPCon มาตรฐานและ IBC มาตรฐาน จะสร้างสมดุลระหว่างคุณภาพการพาสซีฟและการบูรณาการโครงสร้าง - เข้ากันได้กับอุปกรณ์หลักส่วนใหญ่ในสายการผลิต N-type ที่มีอยู่ ดังนั้นจึงสามารถอัปเกรดกระบวนการได้ทีละขั้น ### เปรียบเทียบกับเซลล์ทั่วไป - TOPCon มาตรฐาน: มีเงาจาก gridline ด้านหน้า, การพาสซีฟแบบ TOPCon เต็มพื้นที่ด้านหลัง - IBC มาตรฐาน: โครงสร้างหน้าสัมผัสด้านหลัง แต่การพาสซิเวชันอาศัยซิลิกอนออกไซด์/ซิลิกอนไนไตรด์ ไม่มีการพาสซิเวชันแบบอุโมงค์โพลี-Si - TBC (POLO-IBC): โครงสร้างหน้าสัมผัสด้านหลัง IBC รวมกับการพาสซิเวชันแบบอุโมงค์ TOPCon ที่ผสานกัน ดังนั้นทั้งโครงสร้างและการพาสซิเวชันได้รับการปรับให้เหมาะสม ## ภาพรวมกระบวนการผลิตทั้งหมด เวเฟอร์เข้า → ทำความสะอาดล่วงหน้า / กำจัดชั้นเสียหายจากการเลื่อย → ปลูกออกไซด์อุโมงค์ด้านหลัง + การสะสมโพลี-Si (LPCVD) → การสะสมชั้น SiN มาสก์ด้านหลัง → การเปิดเลเซอร์ด้านหลังครั้งแรก (พื้นที่โบรอน) → การโด๊ปโบรอน (p-poly) → การเปิดเลเซอร์ด้านหลังครั้งที่สอง (พื้นที่ฟอสฟอรัส) → การโด๊ปฟอสฟอรัส (n-poly) → ทำความสะอาดเพื่อลบการแพร่รอบข้าง / BSG / PSG → การสะสมฟิล์มพาสซิเวชันด้านหลัง → การพิมพ์มาสก์แว็กซ์เพื่อป้องกันด้านหลัง → การเท็กซ์เจอร์ด้านหน้า + การกัดแยก P/N → การสะสมฟิล์มพาสซิเวชันกันสะท้อน SiN ด้านหน้าและด้านหลัง → การพิมพ์สกรีนอิเล็กโทรดโลหะด้านหลัง → การเผา → การทดสอบทางไฟฟ้า → การคัดแยกและบรรจุ ## ข้อกำหนดกระบวนการโดยละเอียด ### 3.1 การทำความสะอาดและขัดเงา (ทำความสะอาดล่วงหน้า + กำจัดชั้นเสียหายจากการเลื่อย) วัตถุประสงค์: กำจัดชั้นเสียหายจากการเลื่อย สิ่งเจือปนโลหะบนพื้นผิว อนุภาคและน้ำมัน ขัดเงาเวเฟอร์ด้านเดียวหรือสองด้านเพื่อให้ได้ฐานซิลิกอนที่สะอาดและเรียบ และทำให้การสะสมชั้นอุโมงค์ในภายหลังสม่ำเสมอ อุปกรณ์หลัก: สายการทำความสะอาดและขัดเงาแบบเปียกในสายการผลิต ถังขัดเงาอัลคาไลน์ ถังทำความสะอาดกรด สารเคมีสำคัญ: ด่างแก่ (NaOH/KOH), HF, HCl, IPA, สารเติมแต่งเท็กซ์เจอร์, สารลดแรงตึงผิว รายการตรวจสอบสำคัญ: - น้ำหนักที่ลดลงจากการขัดเงา: เครื่องชั่งอิเล็กทรอนิกส์ - การสะท้อนแสงของพื้นผิว: เครื่องวัดการสะท้อนแสง - อายุของพาหะส่วนน้อย iVoc: เครื่องวัดอายุชั่วคราว WCT-120 - การถ่ายภาพการรวมตัวของพาหะ: เครื่อง PL (R3-PL) - ความหยาบและความสะอาดของพื้นผิว: กล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสง การควบคุมคุณภาพ: กำจัดชั้นเสียหายจากการเลื่อยอย่างสมบูรณ์ ไม่มีคราบหรือขั้นบันไดบนพื้นผิว น้ำหนักที่ลดลงสม่ำเสมอ ไม่มีอายุของพาหะลดลงอย่างชัดเจน ### 3.2 การสะสมออกไซด์อุโมงค์ + โพลี-Si วัตถุประสงค์: ปลูกออกไซด์อุโมงค์บางพิเศษ (SiO₂) จากนั้นชั้นโพลี-Si บริสุทธิ์บนด้านหลังของเวเฟอร์ สร้างโครงสร้างพาสซิเวชันหลัก TOPCon สำหรับการพาสซิเวชันสนามและเคมีที่แข็งแกร่ง และการรวมตัวด้านหลังต่ำ อุปกรณ์หลัก: ท่อ LPCVD แหล่งก๊าซ: SiH₄, O₂, N₂ (ก๊าซพา/ไล่) รายการสำคัญ: - ความหนาของโพลีซิลิคอน: เครื่องวัดความหนาโพลี, อิลลิปโซมิเตอร์ - ความหนาของออกไซด์อุโมงค์: ECV, อิลลิปโซมิเตอร์ - iVoc (WCT-120) - ความสม่ำเสมอของ PL - ความต้านทานแผ่น (การตรวจสอบโพลีภายในก่อนการโด๊ป) การควบคุมคุณภาพ: ออกไซด์บางพิเศษและสม่ำเสมอ, โพลี-Si หนาแน่นและไม่มีรูพรุน, ความสม่ำเสมอของความหนาทั่วแผ่นเวเฟอร์ ### 3.3 การเคลือบ SiN ด้านหลัง วัตถุประสงค์: เคลือบชั้นซิลิคอนไนไตรด์ (SiNₓ) ที่หนาแน่นบนโพลี-Si ภายในเพื่อใช้เป็นหน้ากากกั้นสำหรับขั้นตอนการเปิดด้วยเลเซอร์และการโด๊ปในภายหลัง ทำให้เกิดโซนการโด๊ปแบบเลือก อุปกรณ์หลัก: PECVD แหล่งก๊าซ: SiH₄, NH₃, N₂ รายการสำคัญ: ความหนาของ SiN (สเปกโทรสโกปิกอิลลิปโซมิเตอร์), ดัชนีหักเหและความสม่ำเสมอ, iVoc, ความสม่ำเสมอของ PL การควบคุมคุณภาพ: หน้ากากหนาแน่น, ไม่มีรูพรุน, ความหนาสม่ำเสมอเพื่อรับประกันการแยกการโด๊ป ### 3.4 การเปิดเลเซอร์ด้านหลังครั้งแรก (หน้าต่างการแพร่โบรอน) วัตถุประสงค์: ลบหน้ากาก SiN เฉพาะบริเวณการแพร่โบรอนโดยการเลเซอร์เฉพาะที่ ในขณะที่รักษาโพลี-Si ภายในไว้ด้านล่าง เปิดหน้าต่างสำหรับโพลีชนิด p ในภายหลัง อุปกรณ์หลัก: ระบบเปิดเลเซอร์ไฟเบอร์/นาโนวินาทีหรือพิโควินาที, เครื่องมือสร้างลวดลายเลเซอร์ความแม่นยำสูง การปรับแต่งกระบวนการ: ปรับกำลังเลเซอร์, อัตราการทำซ้ำ, ความเร็วสแกน และการซ้อนทับจุด เพื่อให้เฉพาะหน้ากาก SiN ด้านบนถูกลบออก และโพลี-Si ภายในด้านล่างไม่เสียหาย คงฐานพาสซิเวชันไว้ การตรวจสอบหลัก: ตรวจสอบรูปร่างร่อง, ความสมบูรณ์ของขอบ และว่าเลเยอร์โพลีถูกไหม้หรือไม่ด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสง ### 3.5 การโด๊ปโบรอนด้านหลัง (p-poly) วัตถุประสงค์: แพร่โบรอนเข้าไปในโพลี-Si ภายในในพื้นที่ที่เปิด เพื่อเปลี่ยนเป็นโพลีชนิด p ที่โด๊ปหนัก (p-poly) พร้อมกับสร้าง BSG บนพื้นผิว BSG จะทำหน้าที่เป็นหน้ากากกั้นตามธรรมชาติสำหรับการแพร่ฟอสฟอรัสในภายหลัง อุปกรณ์หลัก: เตาเผาแพร่โบรอนแบบท่อ สื่อกระบวนการ: แหล่งของเหลว BBr₃; บรรยากาศ O₂, N₂ การตรวจสอบหลัก: ความต้านทานแผ่นของโซน p, ความสม่ำเสมอของการโด๊ป, ความสมบูรณ์ของการปกคลุมของ BSG, ความสม่ำเสมอของการโด๊ปด้วย PL การควบคุมคุณภาพ: การโด๊ปโบรอนเพียงพอ, ความต้านทานแผ่นสม่ำเสมอ, BSG ต่อเนื่องและสมบูรณ์ไม่มีช่องว่างเฉพาะที่ ### 3.6 การเปิดเลเซอร์ด้านหลังครั้งที่สอง (หน้าต่างการแพร่ฟอสฟอรัส) วัตถุประสงค์: กำจัดหน้ากาก SiN ที่เหลือเพื่อเปิดเผย poly-Si ที่ไม่โด๊ปเป็นบริเวณโด๊ปฟอสฟอรัสชนิด n ในขณะที่รักษาชั้น BSG ที่เกิดขึ้นแล้วให้ไม่ได้รับความเสียหายจากเลเซอร์ อุปกรณ์หลัก: ระบบการสร้างลวดลาย/การเปิดด้วยเลเซอร์ จุดเน้นกระบวนการ: การควบคุมพลังงานเลเซอร์อย่างแม่นยำเพื่อหลีกเลี่ยงการทะลุผ่านชั้น BSG ทำให้ขอบเขตการแยกระหว่างโซน P และ N สะอาด ### 3.7 การโด๊ปฟอสฟอรัสด้านหลัง (n-poly) วัตถุประสงค์: แพร่ฟอสฟอรัสเข้าไปใน poly-Si ที่ไม่โด๊ปของหน้าต่างที่สองเพื่อสร้าง poly ที่โด๊ปหนักชนิด n (n-poly) BSG ที่เกิดขึ้นในขั้นตอนก่อนหน้าทำหน้าที่เป็นหน้ากากแบบปรับแนวได้เอง ป้องกันฟอสฟอรัสไม่ให้แพร่เข้าไปในบริเวณ p-poly และทำให้เกิดการแยกโซน P/N ด้วยตัวเอง อุปกรณ์หลัก: เตาแพร่ฟอสฟอรัสแบบท่อ ตัวกลางกระบวนการ: แหล่งของเหลว POCl₃; สภาพแวดล้อม O₂, N₂ หลักการสำคัญ: BSG ที่เหลือทำหน้าที่เป็นตัวกั้นการแพร่ตามธรรมชาติและหยุดการปนเปื้อนฟอสฟอรัสในบริเวณ p-poly หลังจากการแพร่ฟอสฟอรัส BSG ส่วนหนึ่งจะเปลี่ยนเป็นออกไซด์ผสมโบรอน-ฟอสฟอรัส ซึ่งช่วยเสริมการแยกให้แข็งแกร่งยิ่งขึ้น การตรวจสอบสำคัญ: ความต้านทานแผ่นของโซน n, การแยกขอบเขต P/N, การติดตามแนวโน้มการรั่วไหล ### 3.8 การทำความสะอาดเพื่อลบการแพร่รอบขอบ (การกำจัด BSG/PSG) วัตถุประสงค์: กำจัด BSG, PSG และสิ่งตกค้างบนพื้นผิวทั้งหมดด้วยสารเคมี และลบชั้นการแพร่รอบขอบและด้านข้างเพื่อหลีกเลี่ยงการรั่วไหลที่ขอบ อุปกรณ์หลัก: สายการทำความสะอาดแบบเปียกในสายการผลิต สารเคมีสำคัญ: ส่วนใหญ่เป็น HF ร่วมกับสารเติมแต่งที่เป็นกรดและระบบกรดบัฟเฟอร์ ตัวช่วยกระบวนการ: การเป่าลมแห้งสะอาด, การอบแห้งด้วยลมร้อน การควบคุมคุณภาพ: ฟิล์มออกไซด์ถูกกำจัดออกหมด, พื้นผิวสะอาดไม่มีสิ่งตกค้าง, ไม่มีสิ่งตกค้างรอบขอบ ### 3.9 การเคลือบฟิล์มป้องกัน SiN ด้านหลัง วัตถุประสงค์: เคลือบฟิล์มป้องกัน SiN บนโครงสร้าง poly P/N แบบสลับฟันปลาด้านหลังเพื่อพาสซิเวทและป้องกันบริเวณหน้าสัมผัสด้านหลัง และป้องกันการโจมตีทางเคมีในขั้นตอนถัดไป อุปกรณ์หลัก: PECVD แหล่งก๊าซ: SiH₄, NH₃, N₂ การตรวจสอบ: ความหนาของ SiN, ดัชนีหักเห, ความสม่ำเสมอของฟิล์ม ### 3.10 การเคลือบหน้ากากแว็กซ์ด้านหลัง (หน้ากากป้องกัน) วัตถุประสงค์: เคลือบด้านหลังด้วยชั้นป้องกันแว็กซ์โดยการพิมพ์สกรีนเพื่อป้องกันโครงสร้างหน้าสัมผัสด้านหลัง P/N และฟิล์ม SiN ที่ถูกสร้างขึ้น ป้องกันไม่ให้การกัดด้านหน้าภายหลังทำลายชั้นฟังก์ชันด้านหลัง อุปกรณ์หลัก: เครื่องพิมพ์สกรีน (สถานีพิมพ์แว็กซ์) จุดควบคุม: พิมพ์แว็กซ์ให้สมบูรณ์ ไม่มีการพิมพ์ข้าม ไม่มีรูเข็ม ขอบปิดสนิทเพื่อให้ด้านหลังได้รับการปกป้องตลอดกระบวนการ ### 3.11 การกัดเคมีด้านหน้า + การลอกแว็กซ์และทำความสะอาด วัตถุประสงค์: 1. กำจัดสารเจือปนส่วนเกินและชั้นที่เสียหายบนด้านหน้าของเวเฟอร์ 2. ทำให้ด้านหน้ามีพื้นผิวเป็นพีระมิดเพื่อลดการสะท้อนแสงด้านหน้า 3. สร้างการแยกขอบระหว่างโซน P และ N ด้านหลังผ่านการกัดด้านข้างเพื่อลดการรั่วไหลที่ขอบ 4. สุดท้ายลอกหน้ากากแว็กซ์ด้านหลังเพื่อเผยโครงสร้างหน้าสัมผัสด้านหลังที่สมบูรณ์ อุปกรณ์หลัก: สายการกัดเปียกและการสร้างพื้นผิวแบบสองด้านใน-line สารเคมีสำคัญ: ด่างแก่ (NaOH), HF, สารเติมแต่งการสร้างพื้นผิว, สารกัดบัฟเฟอร์ แหล่งก๊าซ: อากาศอัดสะอาด, การเป่าแห้งด้วย N₂ การควบคุมคุณภาพ: การสร้างพื้นผิวด้านหน้าที่สม่ำเสมอ, สัณฐานพีระมิดที่ได้มาตรฐาน, การแยก P/N ที่เหมาะสม, ไม่มีเส้นทางการรั่วไหล, การลอกแว็กซ์ที่สะอาดไม่มีสารตกค้าง ### 3.12 ฟิล์ม SiN ป้องกันการสะท้อนและพาสซิเวชันด้านหน้าและด้านหลัง วัตถุประสงค์: เคลือบฟิล์ม SiN ป้องกันการสะท้อนและพาสซิเวชันที่ด้านหน้าเพื่อทั้งป้องกันการสะท้อนและพาสซิเวชันพื้นผิว; เพิ่มและปรับฟิล์มพาสซิเวชันด้านหลังให้เหมาะสมเพื่อปรับปรุงพาสซิเวชันและความน่าเชื่อถือ อุปกรณ์หลัก: PECVD แหล่งก๊าซ: SiH₄, NH₃, N₂ ลักษณะเฉพาะ: ความหนาของฟิล์มด้านหน้าและด้านหลัง, ดัชนีหักเห, อายุการใช้งานของพาหะส่วนน้อย, การสะท้อนแสง ### 3.13 การพิมพ์สกรีนและการเผาอิเล็กโทรดด้านหลัง วัตถุประสงค์: พิมพ์อิเล็กโทรดเงิน-อะลูมิเนียมบนโซน P ด้านหลังและอิเล็กโทรดเงินบนโซน n-type poly เพื่อสร้างอิเล็กโทรดบวกและลบแบบ interdigitated back contact จากนั้นใช้การเผาที่อุณหภูมิสูงเพื่อสร้างหน้าสัมผัสโอห์มิกระหว่างโลหะและ poly-Si ที่เจือ อุปกรณ์หลัก: เครื่องพิมพ์สกรีนเฉพาะสำหรับ back contact, เตาเผาแบบ in-line ขั้นตอนสำคัญ: การพิมพ์แนวอิเล็กโทรดด้านหลังแบบจัดตำแหน่ง → การอบแห้ง → การเผาที่อุณหภูมิสูง (สร้างหน้าสัมผัสโอห์มิก) ### 3.14 การตรวจสอบและคัดแยกขั้นปลาย กระบวนการผลิต: การตรวจสอบ EL (ข้อบกพร่อง, รอยแตกขนาดเล็ก, การรั่วไหล), การทดสอบทางไฟฟ้า IV (Voc, Isc, FF, Eff), การตรวจสอบลักษณะ外观, การคัดเกรดและคัดแยก, การบรรจุและจัดเก็บ อุปกรณ์ตรวจสอบ: เครื่องทดสอบ EL, เครื่องทดสอบ IV, สถานีตรวจสอบลักษณะ外观 ## ความท้าทายหลักและสิ่งที่ควรให้ความสำคัญ อะไรคือส่วนที่ยากของเทคโนโลยี TBC และควรให้ความสนใจที่ใด? - การควบคุมความสม่ำเสมอของความหนาของชั้นออกไซด์อุโมงค์บางเฉียบเป็นเรื่องยาก - ขั้นตอนการเปิดด้วยเลเซอร์สองขั้นตอนต้องการความแม่นยำในการจัดตำแหน่งสูงมาก - การรักษาหน้ากาก BSG ที่จัดตำแหน่งเองให้สมบูรณ์เป็นหัวใจของกระบวนการ - การกัดแยกขั้ว P/N แบบสลับกันมีแนวโน้มที่จะเกิดการรั่วไหลที่ขอบ - การพิมพ์อิเล็กโทรดหน้าสัมผัสด้านหลังต้องการความแม่นยำในการจัดตำแหน่งสูงกว่าเซลล์ทั่วไป - การจัดการการลดลงของอายุพาหะส่วนน้อยตลอดกระบวนการทั้งหมดเป็นเรื่องยาก ### พารามิเตอร์ SPC ที่สำคัญที่ต้องติดตาม - ความหนาของชั้นออกไซด์อุโมงค์และความหนาของโพลี-Si - ลักษณะสัณฐานของการเปิดด้วยเลเซอร์และค่าเบี่ยงเบนการจัดตำแหน่งสำหรับทั้งสองขั้นตอน - ความสม่ำเสมอของความต้านทานแผ่นของการแพร่โบรอนและฟอสฟอรัส - iVoc และอายุพาหะส่วนน้อย PL ที่ติดตามตลอดกระบวนการทั้งหมด - การสะท้อนแสงด้านหน้าและลักษณะสัณฐานของการสร้างพื้นผิว - รอยแตกขนาดเล็ก EL, การรั่วไหล, และสถานะการแยกขอบ ## มุมมองของ Ooitech TBC อยู่หรือตายขึ้นอยู่กับรายละเอียด และหน้ากาก BSG ที่จัดตำแหน่งเองเป็นฮีโร่เงียบที่นี่ เพราะมันช่วยให้โซนฟอสฟอรัสและโบรอนจัดเรียงตัวเองได้โดยไม่ต้องใช้ขั้นตอนหน้ากากที่สาม สิ่งที่เราติดตามมากที่สุดในสายโมดูลคือพฤติกรรมของเซลล์สัมผัสด้านหลังที่มี Voc สูงเหล่านี้ในกระบวนการต่อสายและเคลือบ เพราะโลหะด้านหลังทั้งหมดเปลี่ยนเกมการเชื่อมต่อ หากคุณต้องการดูสายการผลิตโมดูล N-type จริง ช่อง YouTube ของเรา [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) มีภาพจากโรงงานที่น่าดู --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![เครื่องขึ้นรูปเลเยอร์เซลล์แสงอาทิตย์ WS-CL80D: รอบการทำงาน 48 วินาที, ±0.1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12336](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### เครื่องขึ้นรูปเลเยอร์เซลล์แสงอาทิตย์ WS-CL80D: รอบการทำงาน 48 วินาที, ±0.1mm Ooitech WS-CL80D เครื่องวางเซลล์แสงอาทิตย์อัตโนมัติ มาพร้อมการทำงานอิสระแบบ dual gantry dual-gripper แกนหลักขับเคลื่อนด้วยมอเตอร์เชิงเส้นความแม่นยำ 0.01mm ![เครื่องลามิเนต BIPV อัตโนมัติแบบสองห้องชั้นเดียว](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63274](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### เครื่องลามิเนต BIPV อัตโนมัติแบบสองห้องชั้นเดียว Ooitech OTCY-2754DD เครื่องลามิเนต BIPV อัตโนมัติแบบชั้นเดียวสองห้อง มีพื้นที่ลามิเนตคู่ขนาด 2700x5400 มม. ให้ความร้อนสองชั้นบนและล่าง ![น้ำยาซีลและเทปสำหรับแผงโซลาร์ — ซิลิโคน, บิวทิล, บัสบาร์](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73088](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### น้ำยาซีลและเทปสำหรับแผงโซลาร์ — ซิลิโคน, บิวทิล, บัสบาร์ น้ำยาซีลและเทปสำหรับแผงโซลาร์สำหรับการประกอบโมดูล: น้ำยาซีลโครงซิลิโคน, เทปบิวทิล และเทปฉนวนบัสบาร์, ทนทานต่อรังสียูวีสำหรับการติดตั้งกลางแจ้ง 25 ปี ![เครื่องเชื่อมกล่องต่อสาย KS-01C: รอบการทำงาน 16 วินาที](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92407](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### เครื่องเชื่อมกล่องต่อสาย KS-01C: รอบการทำงาน 16 วินาที เครื่องเชื่อมกล่องรวมสาย Ooitech KS-01C มาพร้อมระบบเชื่อมดีบุกแบบฮอตบาร์อัตโนมัติและการเชื่อมความถี่สูง พร้อมความแม่นยำในการจัดตำแหน่งด้วย CCD ที่ ±0.1 มม. ![OPT-S110H เครื่องทดสอบ EL แบบสตริงออฟไลน์: ≤2s, 4.6MP](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350940561245.webp) - [** Rachael](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) - [** 88272](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) ### OPT-S110H เครื่องทดสอบ EL แบบสตริงออฟไลน์: ≤2s, 4.6MP OPT-S110H Offline String EL Tester จาก Ooitech มอบการตรวจสอบ electroluminescence ความเร็วสูงสำหรับสตริงเซลล์แสงอาทิตย์ขนาดสูงสุด 1250mm ![เครื่องตัดเลเซอร์เซลล์แสงอาทิตย์แบบไม่ทำลาย](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47287](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### เครื่องตัดเลเซอร์เซลล์แสงอาทิตย์แบบไม่ทำลาย เครื่องตัดเลเซอร์เซลล์แสงอาทิตย์แบบไม่ทำลายระดับมืออาชีพ GYM-HP8000 พร้อมเทคโนโลยี TCS ให้ความจุ 7600pcs/h อัตราการแตกหัก 0.03%