# การศึกษา UVID ของเซลล์ TOPCon: การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัสติดตาม > การศึกษา UVID ของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ใช้ ToF-SIMS, การวิเคราะห์โปรไฟล์เชิงลึกด้วย XPS, EQE และการทดสอบทางไฟฟ้าเพื่ออธิบายการปลดปล่อยไฮโดรเจน ![การศึกษา UVID ของเซลล์ TOPCon: การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัสติดตาม](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260727/17aeb9818f648b0a8226d34423b2a293.webp) - ** Jerry - ** 2026-07-27 - ** 228 ครั้งที่ดู - ** [บล็อก](./Blog.html) ## การศึกษา UVID ของเซลล์ TOPCon: การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัสติดตาม **คำตอบสั้น:** UVID หรือการเสื่อมสภาพที่เกิดจากรังสีอัลตราไวโอเลต เป็นกลไกความน่าเชื่อถือในเซลล์ TOPCon ที่การวัดกำลังไฟฟ้ามาตรฐานมองไม่เห็น เพราะมันค่อยๆ พัฒนาขึ้นภายใต้การส่องสว่างแทนที่จะปรากฏเป็นการสูญเสียในทันที การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัสถูกใช้เพื่อติดตามมัน: เซลล์ถูกวัดโดยไม่ต้องสัมผัสโลหะ ทำให้เซลล์เดิมสามารถวัดซ้ำได้หลายครั้งผ่านการรับสัมผัสแบบเร่งโดยไม่ทำให้เกิดความเสียหายจากการสัมผัสซึ่งจะรบกวนผลลัพธ์ สภาวะความเครียดในการศึกษานี้เกี่ยวข้องกับการรับสัมผัสรังสี UV ที่ 60 °C โดยมีการวัดในช่วงสเปกตรัมใกล้ 120 nm, 400 nm และ 500 nm โดยใช้ชุดตัวอย่างที่ติดป้ายว่า UV60 คุณค่าของการวัดแบบไม่สัมผัสคือมันเปลี่ยน UVID จากการสังเกตแบบทำลายที่จุดสิ้นสุดการทดสอบให้กลายเป็นเส้นโค้งที่คุณสามารถเฝ้าดูได้ ซึ่งเป็นสิ่งที่ทำให้การเปลี่ยนแปลงกระบวนการสามารถถูกประเมินได้แทนที่จะเพียงแค่ยอมรับหรือปฏิเสธ การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## TOPCon การทดสอบ UVID และ IV แบบไม่สัมผัสสำหรับเซลล์ เซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ได้รับตำแหน่งผู้นำในตลาดเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากการพาสซิเวชันพื้นผิวที่แข็งแกร่งและหน้าสัมผัสที่เลือกพาหะ อย่างไรก็ตาม การทำงานกลางแจ้งทำให้เซลล์สัมผัสกับการเสื่อมสภาพจากรังสีอัลตราไวโอเลต หรือ UVID ในการศึกษานี้ ประสิทธิภาพการแปลงลดลง **6.72% หลังจากได้รับรังสี UV60**. งานก่อนหน้านี้มักเชื่อมโยง UVID กับโฟตอนพลังงานสูงที่ทำลายพันธะ Si–H และปล่อยไฮโดรเจนที่เคลื่อนที่ได้ สเปกตรัมรังสีอัลตราไวโอเลตจากดวงอาทิตย์ครอบคลุมช่วงพลังงานโฟตอนที่กว้างกว่ามากคือ **3.1–4.43 eV**ดังนั้นปฏิสัมพันธ์กับวัสดุพื้นผิวด้านหน้าไม่สามารถอธิบายได้ด้วยการแตกพันธะ Si–H เพียงอย่างเดียว ชั้น Al₂O₃/SiNₓ ด้านหน้ายังแสดงความต้านทานรังสียูวีที่อ่อนแอกว่าโครงสร้างด้านหลังมาก เครื่องทดสอบ IV แบบไม่สัมผัสของ Millennial Solar ให้การทดสอบแบบไม่ทำลายโดยไม่มีวัสดุสิ้นเปลืองและความเร็วในการวัดระดับมิลลิวินาที รองรับการออกแบบเซลล์แบบ back-contact และแบบไม่มีบัสบาร์ และสามารถรับพารามิเตอร์ IV, EQE และ PL หลายมิติในลำดับการทดสอบเดียว การศึกษานี้ใช้แมสสเปกโตรเมตรีไอออนทุติยภูมิแบบเวลาบิน หรือ ToF-SIMS ร่วมกับเอกซเรย์โฟโตอิเล็กตรอนสเปกโตรสโคปีแบบเจาะลึก หรือ XPS เพื่อติดตามการกระจายตัวของธาตุและการเปลี่ยนแปลงพันธะเคมีในชั้น Al₂O₃/SiNₓ ก่อนและหลังการได้รับรังสี UV60 ผลลัพธ์แสดงให้เห็นว่าการแตกพันธะ N–H ทำหน้าที่เป็นแหล่งไฮโดรเจนที่สองนอกเหนือจากการแตกพันธะ Si–H การได้รับรังสียูวียังทำลายพันธะ Al–O ใน Al₂O₃ ที่เป็นอสัณฐาน ทำให้เกิดช่องว่างออกซิเจนจำนวนมาก กลไกไฮโดรเจนและออกซิเจนร่วมกันเพิ่มการรวมตัวกันที่พื้นผิวและให้พื้นฐานที่ชัดเจนยิ่งขึ้นสำหรับการปรับปรุงความน่าเชื่อถือของชั้นพาสซิเวชัน ## วิธีการทดลอง Millennial Solar (ก) โครงสร้างแผนผังของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon; (ข) ตัวอย่างโครงสร้างด้านหน้าแบบสมมาตร; (ค) ตัวอย่างโครงสร้างด้านหลังแบบสมมาตร เตรียมตัวอย่างโครงสร้างสมมาตรสองแบบ โครงสร้างด้านหน้าคือ **SiNₓ/Al₂O₃/n-Si/Al₂O₃/SiNₓ**. โครงสร้างด้านหลังประกอบด้วยชั้น SiOₓ/n⁺-poly-Si การเร่งอายุด้วยรังสียูวีดำเนินการในระดับโมดูลโดยใช้แหล่งกำเนิดแสงที่เน้น UV-A เป็นหลัก โดยมี UV-B ประมาณ 11% สภาวะการทดสอบคือ 60°C และความชื้นสัมพัทธ์ 30% | รายการทดสอบ | เงื่อนไขหรือการกำหนดค่า | | --- | --- | | ตัวอย่างสมมาตรด้านหน้า | SiNₓ/Al₂O₃/n-Si/Al₂O₃/SiNₓ | | ตัวอย่างสมมาตรด้านหลัง | โครงสร้างที่มีชั้น SiOₓ/n⁺-poly-Si | | แหล่งกำเนิดรังสียูวี | ส่วนใหญ่เป็น UV-A โดยมี UV-B ประมาณ 11% | | อุณหภูมิทดสอบ | 60°C | | ความชื้นสัมพัทธ์ | 30% | | ปริมาณรังสียูวีสูงสุดที่รายงาน | 60 kWh·m⁻² ระบุเป็น UV60 | | วิธีการวิเคราะห์หลัก | ToF-SIMS และ XPS แบบเจาะลึก | ความเข้มสเปกตรัมของแหล่งกำเนิดแสงอัลตราไวโอเลต ## ความต้านทานรังสียูวีของโครงสร้างด้านหน้าและด้านหลัง Millennial Solar การเปลี่ยนแปลงในตัวอย่างสมมาตรด้านหน้าและด้านหลังระหว่างการได้รับรังสียูวี: (a) อายุการใช้งานพาหะที่มีประสิทธิภาพ τeff ที่ความเข้มข้นของพาหะที่ฉีด 1 × 10¹⁵ cm⁻³; (b) แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดโดยนัย iVoc; และ (c) ความหนาแน่นกระแสอิ่มตัวด้านเดียว J₀ โครงสร้างสมมาตรด้านหลังแสดงการเสื่อมสภาพเพียงเล็กน้อยหลังจากได้รับรังสียูวี **60 kWh·m⁻²** ชั้น poly-Si หนา 120 nm ดูดซับรังสียูวีที่ตกกระทบเกือบทั้งหมดและให้การปกป้องที่มีประสิทธิภาพต่อส่วนเชื่อมต่อด้านล่าง โครงสร้างสมมาตรด้านหน้าเสื่อมสภาพรุนแรงกว่ามาก: - อายุการใช้งานพาหะที่มีประสิทธิภาพ τeff ลดลงจาก **2,895.6 μs เป็น 1,552.8 μs**. - แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดโดยนัย iVoc ลดลงจาก **735.5 mV เป็น 715.2 mV**. - J₀ ด้านเดียวเพิ่มขึ้นเป็น **18.4 fA·cm⁻²**ซึ่งประมาณสามเท่าของค่าเริ่มต้น - ประสิทธิภาพการพาสซิเวชันของ Al₂O₃/SiNₓ ลดลงอย่างมาก ผลลัพธ์เหล่านี้ยืนยันว่าชั้นซ้อน SiNₓ/Al₂O₃ ด้านหน้ามีความเสี่ยงต่อการได้รับรังสีอัลตราไวโอเลตมากกว่าโครงสร้าง SiOₓ/poly-Si ด้านหลังอย่างมาก ## วิวัฒนาการขององค์ประกอบทางเคมี Millennial Solar โปรไฟล์ความลึก ToF-SIMS ของความเข้ม (a) ไฮโดรเจนและ (b) ออกซิเจนในตัวอย่างโครงสร้างด้านหน้าแบบสมมาตรที่ขัดเงาก่อนและหลังการสัมผัสรังสี UV60 ToF-SIMS แสดงให้เห็นการเพิ่มขึ้นอย่างชัดเจนของความเข้มข้นของไฮโดรเจนหลังจากการสัมผัสรังสีอัลตราไวโอเลต โดยเฉพาะภายในชั้น SiNₓ การวิเคราะห์โปรไฟล์ความลึกของสัญญาณ XPS N 1s พบว่าสัดส่วนของพันธะ N–H ที่ส่วนต่อประสาน SiNₓ/Al₂O₃ ลดลงจาก **9.64% เป็น 5.97%**ซึ่งยืนยันว่าการแตกของพันธะ N–H เป็นแหล่งไฮโดรเจนที่สำคัญอีกแหล่งหนึ่งนอกเหนือจากการแตกของพันธะ Si–H ไฮโดรเจนที่ปลดปล่อยออกมาบางส่วนแพร่ไปยังพื้นผิว SiNₓ และจับกับซิลิคอนอีกครั้ง ซึ่งอธิบายว่าทำไมสัดส่วน N–H ในพื้นที่ใกล้พื้นผิวจึงเพิ่มขึ้นแทนที่จะลดลงอย่างต่อเนื่อง วิวัฒนาการของออกซิเจนก็มีความสำคัญเช่นกัน ความเข้มข้นของออกซิเจนภายในชั้น Al₂O₃ ลดลงเล็กน้อย ในขณะที่เพิ่มขึ้นที่ส่วนต่อประสานทั้ง SiNₓ/Al₂O₃ และ Al₂O₃/Si การกระจายนี้บ่งชี้ว่าออกซิเจนที่ปลดปล่อยโดยการแตกของพันธะ Al–O แพร่กระจายออกจากฟิล์ม Al₂O₃ พลังงานพันธะ Al–O ในผลึกในอุดมคติประมาณ **5.3 eV**Al₂O₃ อสัณฐานแตกต่างกัน ไอออนอะลูมิเนียมที่มีการประสานงานต่ำและช่องว่างออกซิเจนที่มีประจุลบสามารถลดพลังงานกระตุ้นสำหรับการแตกพันธะ Al–O ที่อยู่ติดกันเหลือประมาณ **2.4 eV**โฟตอนอัลตราไวโอเลต 400 นาโนเมตรมีพลังงานประมาณ **3.1 eV**ซึ่งเพียงพอที่จะเริ่มกระบวนการนี้ สเปกตรัม XPS โปรไฟล์ความลึก N 1s ที่ส่วนต่อประสาน Al₂O₃/SiNₓ ต่างๆ ก่อนและหลังการสัมผัสรังสี UV60 รวมถึงพันธะ N–Si ที่ 397.5 eV และพันธะ N–H ที่ 399.5 eV ผลลัพธ์ XPS O 1s แสดงการเปลี่ยนแปลงจากออกซิเจนในโครงตาข่าย ซึ่งระบุเป็น OI ไปเป็นองค์ประกอบที่เกี่ยวข้องกับช่องว่างออกซิเจน ซึ่งระบุเป็น OII ในสเปกตรัม Al 2p สัดส่วนของ Al₂O₃ ลดลงจาก **69.99% เป็น 60.36%**ในขณะที่ Al–OH เพิ่มขึ้นจาก **30.01% เป็น 39.64%**. สเปกตรัม Si 2p ยังแสดงการเพิ่มขึ้นของ Si²⁺ และการลดลงของสถานะออกซิเดชันที่สูงขึ้นของซิลิคอน อิเล็กตรอนที่ปลดปล่อยระหว่างการก่อตัวของช่องว่างออกซิเจนลดซิลิคอนจากสถานะออกซิเดชันที่สูงขึ้น การเปลี่ยนแปลงที่ประสานกันในพันธะของออกซิเจน อะลูมิเนียม และซิลิคอนนี้บ่งชี้ถึงความเสียหายในวงกว้างต่อฟิล์ม Al₂O₃ มากกว่าปฏิกิริยาการแตกพันธะเดี่ยวที่แยกออกมา ## การเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพทางไฟฟ้า Millennial Solar เส้นโค้ง EQE และการสะท้อนแสงของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ก่อนและหลังการสัมผัสรังสี UV60 การสะท้อนแสงแทบไม่เปลี่ยนแปลงหลังการสัมผัสรังสี UV60 EQE ลดลงปานกลางในช่วงคลื่นสั้นต่ำกว่า 500 นาโนเมตร ซึ่งสอดคล้องกับการรวมตัวกันใหม่ที่พื้นผิวด้านหน้าที่รุนแรงขึ้น การเปลี่ยนแปลงความต้านทานการสัมผัสด้านหน้าของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ระหว่างการสัมผัสรังสี UV60 ความต้านทานการสัมผัสด้านหน้าเพิ่มขึ้นเกือบเป็นเส้นตรงตามปริมาณรังสี UV โดยถึง **4.1 มิลลิโอห์ม·ซม.²**ซึ่งประมาณ **8.6 เท่า** ของค่าเริ่มต้น กลไกที่เสนอนี้เกี่ยวข้องกับไฮโดรเจนและออกซิเจนที่เคลื่อนที่ได้ซึ่งถูกสร้างขึ้นภายในชั้นพาสซิเวชัน สารเหล่านี้แพร่ไปยังส่วนเชื่อมต่ออิเล็กโทรดและมีส่วนร่วมในปฏิกิริยาออกซิเดชัน-รีดักชัน รังสียูวียังสามารถเปลี่ยนโมเลกุลน้ำบนพื้นผิวเงินให้เป็นอนุมูลไฮดรอกซิล ปฏิกิริยาเหล่านี้ร่วมกันส่งเสริมการกัดกร่อนของอิเล็กโทรดโลหะและเพิ่มความต้านทานการสัมผัส การเสื่อมประสิทธิภาพทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ระหว่างการสัมผัสรังสี UV60: (a) Voc; (b) Jsc; (c) FF; และ (d) ประสิทธิภาพ การสูญเสียทางไฟฟ้าสุดท้ายกระจายไปตามพารามิเตอร์หลายตัว: - **Voc ลดลง 3.46%**สาเหตุหลักมาจากการเสื่อมสภาพของพาสซิเวชันพื้นผิวด้านหน้าและการเพิ่มขึ้นของ J₀ - **FF ลดลง 2.82%**สาเหตุหลักมาจากการเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของความต้านทานการสัมผัสด้านหน้า - **Jsc ลดลงเพียง 0.64%**เนื่องจากการสูญเสีย EQE จำกัดอยู่เฉพาะในช่วงคลื่นสั้นเป็นหลัก - **ประสิทธิภาพการแปลงลดลง 6.72%** หลังการสัมผัสรังสี UV60 โครงสร้าง SiNₓ/Al₂O₃ ด้านหน้าของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon จึงมีความต้านทานรังสีอัลตราไวโอเลตต่ำกว่าโครงสร้างด้านหลังมาก ภายใต้การสัมผัสรังสียูวี พันธะ Si–H และ N–H จะแตกและปล่อยไฮโดรเจนที่เคลื่อนที่ได้ พันธะ Al–O ใน Al₂O₃ อสัณฐานก็เสียหายเช่นกัน ปล่อยออกซิเจนและสร้างตำแหน่งว่างออกซิเจนความหนาแน่นสูง ในเวลาเดียวกัน Al₂O₃ เปลี่ยนไปเป็น Al–OH และการกระจายสถานะออกซิเดชันของซิลิกอนเปลี่ยนแปลงไป กลไกการเสื่อมสภาพที่เกี่ยวข้องกับไฮโดรเจนและออกซิเจนทำงานร่วมกันเพื่อเพิ่มการรวมตัวกันใหม่ที่พื้นผิว การเพิ่มขึ้นของความต้านทานการสัมผัสด้านหน้าที่ตามมาเพิ่มการสูญเสียทางไฟฟ้าที่แยกต่างหาก นำไปสู่การเสื่อมประสิทธิภาพที่วัดได้ **6.72%**. ผลการค้นพบเหล่านี้เป็นข้อมูลอ้างอิงที่มีประโยชน์สำหรับการทำความเข้าใจ UVID ของ TOPCon และการปรับปรุงความน่าเชื่อถือในระยะยาวของชั้นพาสซิเวชันด้านหน้า ## มุมมองของ Ooitech ประเด็นสำคัญคือ UVID ของ TOPCon ไม่สามารถมองเป็นปัญหาแค่พันธะ Si–H อย่างง่ายได้ ต้องประเมินเคมีของพาสซิเวชัน การควบคุมออกซิเจนวาแคนซี และความเสถียรของเมทัลไลเซชันร่วมกัน โดยเฉพาะเมื่อทำการรับรองกระบวนการผลิตโมดูลสำหรับการใช้งานกลางแจ้งระยะยาว การติดตามด้วย IV แบบไม่สัมผัส EQE และ PL สามารถช่วยระบุการสูญเสียเหล่านี้ได้เร็วขึ้น โดยไม่เพิ่มความเสียหายจากการสัมผัสเชิงกลให้กับการออกแบบเซลล์ที่บอบบางมากขึ้น ที่เกี่ยวข้อง: [TOPCon UVID และการแยก r-UVID / ir-UVID](https://www.ooitech.com/topcon-uvid-reversible-and-irreversible-uv-degradation.html) แยกความสูญเสียที่การแช่แสงชดเชยคืนกลับจากความสูญเสียที่คงอยู่ ## การอ่านเพิ่มเติมและข้อมูลพื้นฐาน เอกสารอ้างอิงสาธารณะเกี่ยวกับหัวข้อนี้ จัดพิมพ์โดยองค์กรที่ดูแลแผนงานเทคโนโลยีและข้อมูลตลาดของอุตสาหกรรม: - [Fraunhofer ISE — รายงานเซลล์แสงอาทิตย์](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [กระทรวงพลังงานสหรัฐอเมริกา — เซลล์แสงอาทิตย์](https://www.energy.gov/eere/solar/photovoltaics) - [VDMA — แผนงานเทคโนโลยีระหว่างประเทศสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![การวาดแบบบูรณาการ PV Busbar Ribbon การรีด การชุบดีบุก](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051194879300.webp) - [** ooitech](./pv-busbar-ribbon-integrated-drawing-rolling-tinning-production-line.html) - [** 701](./pv-busbar-ribbon-integrated-drawing-rolling-tinning-production-line.html) ### การวาดแบบบูรณาการ PV Busbar Ribbon การรีด การชุบดีบุก สายการผลิต PV busbar ribbon แบบบูรณาการระดับมืออาชีพที่รวมกระบวนการดึงลวด การรีด การดึงแบน การอบอ่อน และการเคลือบดีบุกสำหรับประสิทธิภาพสูง ![เครื่องใส่กรอบแผงโซลาร์: ±1mm, 2000x1100mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774608426614052.webp) - [** Rachael](./solar-panel-framing-machine-with-punching-function-and-otzk-a-full-automatic-framing-machine-with-auto-dispensing-glue-ooitech.html) - [** 20360](./solar-panel-framing-machine-with-punching-function-and-otzk-a-full-automatic-framing-machine-with-auto-dispensing-glue-ooitech.html) ### เครื่องใส่กรอบแผงโซลาร์: ±1mm, 2000x1100mm Ooitech นำเสนอเครื่องขึ้นโครงแผงโซลาร์เซลล์ประสิทธิภาพสูง รวมถึงเครื่องขึ้นโครงแบบไฮดรอลิกพันช์ และเครื่องขึ้นโครงอัตโนมัติเต็มรูปแบบรุ่น OTZK-A ![เครื่องเชื่อมเซลล์ OSLB-1300 BC: 1000 เซลล์/ชั่วโมง, ±0.10mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032311945973.png) - [** ooitech](./oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html) - [** 99026](./oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html) ### เครื่องเชื่อมเซลล์ OSLB-1300 BC: 1000 เซลล์/ชั่วโมง, ±0.10mm เครื่องเชื่อมเซลล์แบบสัมผัสด้านหลัง OSLB-1300 จาก Ooitech ให้กำลังการผลิต ≥1000 เซลล์/ชั่วโมง สำหรับการเชื่อมสตริงเซลล์แสงอาทิตย์แบบ BC, IBC, ABC และ HPBC ![เครื่องตัดเวเฟอร์ซิลิคอนด้วยเลเซอร์อัตโนมัติเต็มรูปแบบ SC-10C](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774340166130021.webp) - [** ooitech](./SC-10C-Full-Automatic-Silicon-Wafer-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Cell-Production-Equipment.html) - [** 30139](./SC-10C-Full-Automatic-Silicon-Wafer-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Cell-Production-Equipment.html) ### เครื่องตัดเวเฟอร์ซิลิคอนด้วยเลเซอร์อัตโนมัติเต็มรูปแบบ SC-10C เครื่องตัดเวเฟอร์ซิลิคอนด้วยเลเซอร์อัตโนมัติเต็มรูปแบบ SC-10C โดย Ooitech - อุปกรณ์ตัดความแม่นยำสูงความเร็วสูงสำหรับการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ที่ 860PCS/H ![เครื่องทดสอบ OPT-M960B EL & VI: 0.1mm/พิกเซล, Intel i7](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774351816741704.webp) - [** Rachael](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html) - [** 43737](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html) ### เครื่องทดสอบ OPT-M960B EL & VI: 0.1mm/พิกเซล, Intel i7 Ooitech นำเสนอเครื่องทดสอบ EL และเครื่องทดสอบ VI สำหรับแผงโซลาร์เซลล์ระดับมืออาชีพ (OPT-M960B, OPT-M951B, OPT-M950B) พร้อมกล้องอุตสาหกรรม SONY ![เครื่องวางซ้อนและบัสบาร์ SAW-100A: การแตกหัก ≤0.3%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774349342486074.webp) - [** Rachael](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) - [** 19700](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) ### เครื่องวางซ้อนและบัสบาร์ SAW-100A: การแตกหัก ≤0.3% เครื่องวางซ้อนและเชื่อมบัสบาร์อัตโนมัติแบบรวม Ooitech SAW-100A ให้การวางซ้อนสตริงเซลล์ประสิทธิภาพสูงและการเชื่อมบัสบาร์ขั้วต่อด้วยประสิทธิภาพสูง