# การชุบทองแดง TOPCon ก้าวไปอีกขั้น: LIF > บทความใหม่ปี 2026 จากมหาวิทยาลัยเจียงหนาน, Jiangsu Xianghuan และ DR Laser แสดงให้เห็นว่า Laser-Induced Firing (LIF) สามารถแทนที่อุณหภูมิต่ำแบบดั้งเดิมได้ ![การชุบทองแดง TOPCon ก้าวไปอีกขั้น: LIF](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260527/d53a498b3fd08dd9ba5da619b2597ec8.png) - ** Jerry - ** 2026-05-27 - ** 1064 ครั้งที่เข้าชม - ** [บล็อก](./Blog.html) ## การชุบทองแดง TOPCon ก้าวไปอีกขั้น: LIF **คำตอบสั้น:** TOPCon copper plating ขยับเข้าใกล้การผลิตจริงอีกขั้นด้วยผลลัพธ์ใหม่ที่ต่อยอดจากงานก่อนหน้าของมหาวิทยาลัยเจียงหนาน การชุบด้วยไฟฟ้าแทนที่การทำเมทัลไลเซชันด้วยเงินด้วยทองแดง และอุปสรรคไม่เคยอยู่ที่แนวคิด — แต่คือการยึดเกาะและชั้นกั้นที่ป้องกันไม่ให้ทองแดงแพร่เข้าไปในซิลิคอน หน้าต่างกระบวนการในงานศึกษานี้อยู่ในช่วงประมาณ 750 °C ถึง 800 °C สำหรับขั้นตอนการสร้างคอนแทก โดยใช้เลเซอร์ 1064 nm ในขั้นตอนการสร้างลวดลาย และการอบอ่อนที่ 400 °C ทองแดงมีราคาถูกกว่าเงินเพสต์ที่จะถูกแทนที่ประมาณสองอันดับขนาด และเงินเป็นต้นทุนที่ไม่ใช่ซิลิคอนที่ใหญ่ที่สุดเพียงรายการเดียวในเซลล์ TOPCon คำถามที่ยังเหลืออยู่คือความเข้ากันได้ของสายการผลิตและความน่าเชื่อถือในระยะยาว: คอนแทกที่ชุบด้วยไฟฟ้าซึ่งผ่านประสิทธิภาพเริ่มต้นแต่เสื่อมสภาพภายใต้ความชื้นและความร้อนไม่ใช่กระบวนการที่ผลิตได้จริง การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## บทนำ ### จากการศึกษาก่อนหน้ามาสู่ความก้าวหน้าใหม่ เมื่อวานเราได้พูดคุยเกี่ยวกับบทความจากมหาวิทยาลัยเจียงหนานเรื่อง [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) การชุบทองแดง: การเจาะด้วยเลเซอร์ทำให้ซิลิคอนเสียหาย ความเป็นผลึกลดลง 30 เปอร์เซ็นต์ และจำเป็นต้องอบอ่อนเพื่อซ่อมแซม บทความนั้นสรุปว่า **การอบอ่อนที่ 750°C + การทำความสะอาดด้วย HF** สามารถฟื้นฟูประสิทธิภาพจาก 23.41% กลับมาเป็น 24.85% แต่ใครก็ตามที่อยู่ในสายการผลิตรู้ดีว่าการอบอ่อนที่ 750°C เองก็มีความเสี่ยง **ความเสี่ยงในการเกิดฟองจากไฮโดรเจน** — ช่วงอุณหภูมิแคบมาก สูงกว่า 775°C ชั้นพาสซีเวชันด้านหลังจะเกิดฟอง และที่ 800°C ผลลัพธ์แย่กว่าการไม่อบอ่อนเลย มีวิธีที่ดีกว่านี้หรือไม่? เอกสารฉบับที่สองที่เพิ่งตีพิมพ์ในปี 2026 โดยมหาวิทยาลัยเจียงหนาน + เจียงซู เซียงฮวน + DR Laser ให้คำตอบใหม่: **ใช้ LIF (Laser-Induced Firing) เพื่อแทนที่การเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำแบบดั้งเดิม พร้อมซ่อมแซมความเสียหายจากเลเซอร์ไปพร้อมกัน** ผลลัพธ์: การปรับปรุงประสิทธิภาพ **+0.45% abs.**การเพิ่มขึ้นของ Voc **0.86mV**และ — **การปรับปรุงที่สำคัญในความสม่ำเสมอของความต้านทานสัมผัส** ## 1. สรุปสั้นๆ: กระบวนการ TOPCon copper plating และจุดเจ็บปวด ### กระบวนการมาตรฐานและจุดที่ทำให้เกิดปัญหา กระบวนการ TOPCon Ni/Cu plating มาตรฐาน: การเจาะร่องด้วยเลเซอร์ → การอบอุณหภูมิสูงเพื่อซ่อมแซมความเสียหาย → การทำความสะอาดด้วย HF → การชุบ Ni → การเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำ → การชุบ Cu **ปัญหาสองประการ:** - **การเจาะร่องด้วยเลเซอร์ทำให้ซิลิคอนเสียหาย**: ดังที่กล่าวไว้ในบทความก่อนหน้า ความเป็นผลึกลดลงจาก 99.3% เป็น 69.8% จำเป็นต้องอบอุณหภูมิสูงเพื่อซ่อมแซม - **การเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำแบบดั้งเดิมไม่สม่ำเสมอ**: เตาเผาจะให้ความร้อนทั้งเซลล์ ขอบระบายความร้อนเร็วกว่าในขณะที่ตรงกลางร้อนกว่า ทำให้ **ความต้านทานสัมผัสสูงที่ขอบและต่ำที่ตรงกลาง** — การเก็บกระแสที่ไม่สม่ำเสมอส่งผลเสียต่อ FF ความก้าวหน้าหลักของบทความใหม่นี้: **การแทรก LIF เข้าไปในกระบวนการชุบช่วยฆ่านกสองตัวด้วยหินก้อนเดียว — มันแทนที่การเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำที่ไม่สม่ำเสมอและช่วยซ่อมแซมความเสียหายจากเลเซอร์** ## 2. LIF คืออะไร และแตกต่างจากการเผาผนึกแบบดั้งเดิมอย่างไร? ### การให้ความร้อนด้วยเตาเผา vs. การเชื่อมแบบจุดต่อจุด **การเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำแบบดั้งเดิม**: วางเซลล์ทั้งหมดในเตาเผาและอบที่ 200–400°C ปัญหาคือความร้อนไม่สม่ำเสมอ — ขอบเย็นเร็วขึ้น ตรงกลางร้อนกว่า และความต้านทานสัมผัสแตกต่างกันอย่างมากทั่วทั้งเซลล์ **LIF (Laser-Induced Firing)**: เลเซอร์อินฟราเรด 1064nm สแกนด้านหน้าของเซลล์อย่างรวดเร็วในขณะที่ใช้ไบอัสกลับ (2–18V) เลเซอร์กระตุ้นพาหะที่เกิดจากแสง ไบอัสกลับขับเคลื่อนพวกมันไปในทิศทาง **ทำให้เกิดความร้อนจูลเฉพาะที่อย่างแม่นยำที่ส่วนต่อประสานโลหะ–ซิลิคอน**. **ความแตกต่างในหนึ่งประโยค**: การเผาผนึกแบบดั้งเดิมคือ "การอบทั้งเซลล์" LIF คือ "การเชื่อมแบบจุดต่อจุด" LIF ให้ความร้อนเฉพาะบริเวณสัมผัสใต้เส้นกริดเท่านั้น ส่วนอื่นๆ ยังคงไม่ได้รับผลกระทบทางความร้อน ## 3. LIF ทำงานได้ดีเพียงใดบนเซลล์ที่ชุบด้วยทองแดง? ### การหาจุดที่เหมาะสมที่สุดที่ 14V บทความนี้ทำการทดลองพื้นฐานก่อน: ใช้ LIF ที่แรงดันไบอัสกลับต่างๆ บนเซลล์ที่ผ่านการชุบ Ni/Cu เสร็จแล้ว | แรงดันไบอัสกลับของ LIF | ประสิทธิภาพ | Voc | FF | Rs | | --- | --- | --- | --- | --- | | ไม่มี LIF (พื้นฐาน) | 24.29% | 696.27mV | 81.74% | 1.51mΩ | | 8V | กำลังดีขึ้น | — | — | — | | 14V | 24.69% | +0.32mV | +1.22% | 1.16mΩ | | 16–18V | ลดลง | ลดลง | ลดลงอย่างรวดเร็ว | ไม่เปลี่ยนแปลงโดยพื้นฐาน | **พารามิเตอร์ที่เหมาะสม: ไบอัสกลับ 14V, ประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น +0.401% สัมบูรณ์, FF เพิ่มขึ้น 1.22%, Rs ลดลง 23%** **ทำไมแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นทำให้แย่ลง?** บทความใช้ Suns-Voc เพื่อวัดความหนาแน่นกระแสอิ่มตัวในที่มืด J01 และ J02: - **J01** (แทนการรวมตัวกันของรอยต่อ pn): เปลี่ยนแปลงเล็กน้อยตามแรงดันไฟฟ้า - **J02** (แทนการรวมตัวกันที่รอยต่อโลหะ–ซิลิคอน): ต่ำสุดที่ 14V, พุ่งสูงที่ 16–18V **คำแปล**: แรงดันไฟฟ้ามากเกินไปหมายถึงความร้อนจูลที่มากเกินไป และรอยต่อจะ "ถูกเชื่อมจนตาย" หน้าต่างอยู่ที่ประมาณ 14V ## 4. ทำไม LIF ถึงซ่อมแซมความเสียหายจากเลเซอร์ได้? ### รามานสเปกโทรสโกปีเผยความลับ บทความทำการทดลองสำคัญ: ลอกโลหะที่ชุบออกและใช้รามานสเปกโทรสโกปีวัด **ความเป็นผลึก** ของซิลิคอนใต้เส้นกริด | เงื่อนไข | ความเป็นผลึก | | --- | --- | | ไม่มี LIF (เฉพาะการอบอุณหภูมิสูงซ่อมแซม) | ~95% | | LIF 8–14V | +0.76% ~ 1.84% | | LIF 16–18V | ลดลง | **นอกเหนือจากการอบอุณหภูมิสูงแล้ว LIF ยังผลักดันความเป็นผลึกให้สูงขึ้นอีก** กลไก: LIF สร้างความร้อนสูงชั่วขณะเฉพาะที่ (สูงกว่าอุณหภูมิการอบอุณหภูมิสูงแบบดั้งเดิมมาก) ที่ช่วยให้ซิลิคอนอสัณฐานตกผลึกใหม่ได้สมบูรณ์ยิ่งขึ้น และ **มันให้ความร้อนเฉพาะบริเวณใต้เส้นกริดเท่านั้น โดยปล่อยให้ชั้นพาสซิเวชันด้านหลังไม่ถูกแตะต้อง**. สิ่งนี้ช่วยแก้ปัญหาที่ค้างคาจากบทความก่อนหน้านี้ — ช่วงอุณหภูมิสำหรับการอบอ่อนที่อุณหภูมิสูงนั้นแคบ และที่อุณหภูมิสูงกว่า 775°C การพาสซีฟด้านหลังจะเกิดฟอง LIF คือการให้ความร้อนเฉพาะที่ ด้านหลังไม่ได้รับผลกระทบ ดังนั้นอุณหภูมิสามารถสูงขึ้นได้และผลการซ่อมแซมดีขึ้น ## 5. ควรใช้ LIF เมื่อใด? จังหวะเวลามีความสำคัญ ### สามตัวเลือกและผู้ชนะที่ชัดเจน กระบวนการชุบมีสามขั้นตอน: ชุบ Ni → การเผาที่อุณหภูมิต่ำ → ชุบ Cu ควรแทรก LIF ตรงไหน? บทความเปรียบเทียบสามจังหวะเวลา: | กลุ่ม | จังหวะเวลา LIF | แรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสมที่สุด | ประสิทธิภาพสูงสุด | ความเป็นผลึก | | --- | --- | --- | --- | --- | | A | หลัง Ni ก่อนการเผา | 8V | 24.689% | ~95.6% | | B | หลังการเผา ก่อน Cu | 8V | 24.663% | ~96.45% | | C | หลัง Cu | 14V | 24.69% | สูงที่สุด | **บทสรุป**: LIF ทำงานได้ดีที่สุดเมื่อวางไว้ที่จุดสิ้นสุด — **หลังจากการชุบ Cu เสร็จสมบูรณ์**. **ทำไม?** หลังการชุบ Cu ความต้านทานของอิเล็กโทรดลดลงอย่างมาก เมื่อ LIF ใช้แรงดันไฟฟ้า การกระจายกระแสจะสม่ำเสมอมากขึ้น การให้ความร้อนแบบจูลจะสม่ำเสมอมากขึ้น และการสัมผัสที่อินเทอร์เฟซได้รับการปรับให้เหมาะสมอย่างทั่วถึงมากขึ้น หากใช้ LIF เฉพาะบนชั้น Ni (ก่อนชุบ Cu) ความต้านทานจะสูง แรงดันไฟฟ้าเดียวกันจะสร้างความร้อนแบบจูลมากเกินไป ซึ่งอาจทำให้ "เชื่อมอินเทอร์เฟซจนตาย" ได้ง่าย ## 6. การค้นพบที่ใหญ่กว่า: LIF สามารถแทนที่การเผาที่อุณหภูมิต่ำได้อย่างสมบูรณ์ ### ข้ามเตาเผาไปเลย หาก LIF สามารถปรับการสัมผัส Ni–Si ให้เหมาะสมได้ แล้ว **เราสามารถข้ามขั้นตอนการเผาที่อุณหภูมิต่ำแบบดั้งเดิมไปเลยได้หรือไม่**? บทความได้ออกแบบการทดลอง (กลุ่ม D): **ชุบ Ni → LIF (8V) → ชุบ Cu โดยตรง**โดยข้ามขั้นตอนการเผาที่อุณหภูมิต่ำ **ผลลัพธ์**: | กลุ่ม | กระบวนการ | ประสิทธิภาพ | ความสม่ำเสมอของความต้านทานสัมผัส (ความแตกต่างระหว่างขอบและศูนย์กลาง) | | --- | --- | --- | --- | | O | การเผาแบบดั้งเดิม ไม่มี LIF | ค่าพื้นฐาน | 3.53Ω | | A | Ni+LIF+การเผา+Cu | 24.689% | 2.05Ω | | B | Ni+Sintering+LIF+Cu | 24.663% | 1.46Ω | | C | Ni+Sintering+Cu+LIF | 24.69% | 1.54Ω | | D | Ni+LIF+Cu (ไม่มีการซินเทอร์) | 24.74% | 0.45Ω | **ความสม่ำเสมอของความต้านทานสัมผัสของกลุ่ม D ดีกว่าทุกกลุ่มที่มีการซินเทอร์แบบดั้งเดิม** **ทำไม?** เตาซินเทอร์แบบดั้งเดิมให้ความร้อนไม่สม่ำเสมอ — ขอบระบายความร้อนเร็ว ตรงกลางร้อนกว่า — ทำให้ความต้านทานสัมผัสที่ขอบสูงกว่าและตรงกลางต่ำกว่า LIF เป็นการสแกนแบบจุด ทุกจุดได้รับพลังงานเท่ากัน **สม่ำเสมอโดยธรรมชาติ**. การปรับแรงดัน LIF เพิ่มเติมเป็น **6V**กลุ่ม D มีประสิทธิภาพถึง **24.74%**โดยมี Voc ถึง **696.72mV** — **+0.45% abs. สูงขึ้นในประสิทธิภาพ** และ **+0.86mV สูงขึ้นใน Voc** เมื่อเทียบกับพื้นฐานการซินเทอร์แบบดั้งเดิม + ไม่มี LIF ## 7. ผลกระทบต่อสายการผลิต: เกณฑ์การผลิตจำนวนมากสำหรับการชุบทองแดงลดลงหรือไม่? ### ความก้าวหน้าที่เป็นรูปธรรมสามประการ บทความนี้นำเสนอความก้าวหน้าที่เป็นรูปธรรมหลายประการ: **1. ความเสียหายของ Voc สามารถซ่อมแซมได้ และซ่อมแซมได้ดีขึ้น** การอบอ่อนที่ 750°C จากบทความก่อนหน้ามีช่วงอุณหภูมิที่แคบและเสี่ยงต่อการเกิดพุพองที่ด้านหลัง LIF ให้ความร้อนเฉพาะที่ ด้านหลังปลอดภัย และการซ่อมแซมมีประสิทธิภาพมากขึ้น **2. ประหยัดขั้นตอนกระบวนการหนึ่งขั้นตอน แต่ต้องชั่งน้ำหนักการลงทุนในอุปกรณ์** กระบวนการดั้งเดิม: ชุบ Ni → ซินเทอร์อุณหภูมิต่ำ → ชุบ Cu วิธี LIF: ชุบ Ni → LIF → ชุบ Cu **ประหยัดเตาซินเทอร์และเวลาในกระบวนการ แต่อุปกรณ์ LIF มีราคาแพงกว่า และการรวมเข้ากับสายชุบมีความซับซ้อนกว่า ผลตอบแทนจากการลงทุนที่แท้จริงขึ้นอยู่กับใบเสนอราคาอุปกรณ์** **3. ความสม่ำเสมอของความต้านทานสัมผัสเป็นโบนัสที่ซ่อนอยู่** การซินเทอร์แบบดั้งเดิมมีช่องว่างความต้านทานสัมผัสจากขอบถึงศูนย์กลาง 3.53Ω; วิธี LIF ลดเหลือ 0.45Ω ความสม่ำเสมอที่ดีขึ้นหมายถึงการเก็บกระแสที่สม่ำเสมอมากขึ้น FF สูงขึ้น และความเสี่ยงจุดร้อนที่ระดับโมดูลลดลง **แต่อุปสรรคในการผลิตจำนวนมากยังคงมีอยู่**: - **การลงทุนในอุปกรณ์ LIF**: ในขณะที่เปลี่ยนเตาเผาผนึก คุณเพิ่มเลเซอร์ + แหล่งจ่ายไฟ + ระบบควบคุม ราคาจากผู้จำหน่ายอุปกรณ์เป็นตัวกำหนดความคุ้มทุน - **ความซับซ้อนของการรวมสายการผลิต**: LIF ต้องเชื่อมต่อกับสายชุบได้อย่างราบรื่น และการจับคู่รอบเวลา (เอกสารใช้ความเร็วสแกน 20 ม./วินาที) ต้องมีการตรวจสอบความถูกต้อง - **ความสม่ำเสมอในระดับ GW**: เอกสารอยู่ในระดับห้องปฏิบัติการ/นำร่อง ความเสถียรของผลผลิตในการผลิตจำนวนมากขนาดใหญ่ยังต้องการข้อมูลสนับสนุน ## 8. การเปรียบเทียบกับ Aiko ABC ### สองเส้นทาง สองเรื่องราว | รายการ | Aiko ABC | TOPCon + LIF การชุบทองแดง | | --- | --- | --- | | โครงสร้างเซลล์ | สัมผัสหลังเต็ม | ด้านหน้า + ด้านหลัง | | ต้องมีการเจาะร่องด้วยเลเซอร์ | ไม่มี | ใช่ | | ปัญหาความเสียหายจากเลเซอร์ | ไม่มี | ใช่ แต่ LIF สามารถซ่อมแซมความเสียหายและปรับปรุงการสัมผัสพร้อมกันได้ | | กระบวนการทำให้เป็นโลหะ | การชุบ Cu/Ni/Sn | การชุบ Ni/Cu + LIF | | สถานะการผลิตจำนวนมาก | อยู่ในระหว่างการผลิตจำนวนมากแล้ว | ห้องปฏิบัติการ / นำร่อง | สถาปัตยกรรม BC ของ Aiko หลีกเลี่ยงปัญหาการเจาะร่องด้วยเลเซอร์โดยธรรมชาติ TOPCon ไม่สามารถหลีกเลี่ยงได้ แต่ LIF นำเสนอโซลูชันแบบ "เติมร่อง + ปรับปรุง" — ไม่เพียงแต่ซ่อมแซมความเสียหาย แต่ยังลดขั้นตอนกระบวนการและปรับปรุงความสม่ำเสมอ ## 9. สรุป ### สถานการณ์ปัจจุบัน **เอกสารใหม่นี้จากมหาวิทยาลัยเจียงหนานพิสูจน์สิ่งหนึ่ง: ความเสียหายจากเลเซอร์ในการชุบทองแดงของ TOPCon ไม่เพียงแต่สามารถซ่อมแซมได้ แต่ LIF ซ่อมแซมได้ดีกว่าการอบอ่อนแบบดั้งเดิม — และในระหว่างนั้นยังแก้ปัญหาความไม่สม่ำเสมอของการเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำอีกด้วย** ประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น +0.45% สัมบูรณ์, Voc เพิ่มขึ้น 0.86mV, และการปรับปรุงที่สำคัญในความสม่ำเสมอของความต้านทานการสัมผัส — ตัวเลขสามตัวนี้คุ้มค่าต่อการประเมินอย่างจริงจังในสายการผลิตใดๆ เกณฑ์การผลิตจำนวนมากยังคงมีอยู่ แต่แผนงานทางเทคนิคเริ่มชัดเจนขึ้น **หัวข้อสนทนา**: LIF แทนที่การเผาผนึกที่อุณหภูมิต่ำเป็น "การเตะครั้งสุดท้าย" สำหรับการผลิตจำนวนมากของการชุบทองแดง TOPCon หรือเป็นเพียง "การตกแต่งในห้องปฏิบัติการ"? --- **ข้อมูลอ้างอิง**: - หัวข้อ: การบูรณาการการยิงด้วยเลเซอร์กับการชุบ Ni/Cu สำหรับการทำโลหะเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon - ผู้แต่ง: Jingyun Zhang, Xi Xi, Jianbo Shao และคณะ (มหาวิทยาลัยเจียงหนาน + เจียงซู เซียงฮวน เทคโนโลยี + DR Laser) - วารสาร: Solar Energy Materials and Solar Cells - ปี: **2026** - DOI: **10.1016/j.solmat.2026.114198** ## มุมมองของ Ooitech ### Ooitech เชื่อว่า: LIF ทำให้การซ่อมแซมความเสียหายจากเลเซอร์และความสม่ำเสมอในการเผาผนึกเป็นขั้นตอนเดียว ทำให้การชุบทองแดง TOPCon เป็นเส้นทางที่มีความหมายมากขึ้นสู่การผลิตจำนวนมากที่ปราศจากเงิน ## การอ่านเพิ่มเติมและข้อมูลพื้นฐาน เอกสารอ้างอิงสาธารณะเกี่ยวกับหัวข้อนี้ จัดพิมพ์โดยองค์กรที่ดูแลแผนงานเทคโนโลยีและข้อมูลตลาดของอุตสาหกรรม: - [VDMA — แผนงานเทคโนโลยีระหว่างประเทศสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — รายงานเซลล์แสงอาทิตย์](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — ข่าวอุตสาหกรรม PV ระดับโลกและเนื้อหาทางเทคนิค](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![เครื่องติดกาวกรอบ BD03: 3-4 วินาทีต่อเมตร, 2500mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506308732524.webp) - [** Rachael](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html) - [** 51934](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html) ### เครื่องติดกาวกรอบ BD03: 3-4 วินาทีต่อเมตร, 2500mm เครื่องทากาวโครง CNC BD03 – การทาซีลแลนท์โครงอะลูมิเนียมอัตโนมัติพร้อมการวางตำแหน่งที่แม่นยำ การป้อนอัตโนมัติ และการกระจายกาวที่สม่ำเสมอสำหรับ ![เครื่องติดเทปอัตโนมัติ: รอบ 25 วินาที, ±2mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350079476146.webp) - [** Rachael](./automatic-tape-sticking-machine-for-solar-panel-production-line-ooitech.html) - [** 81812](./automatic-tape-sticking-machine-for-solar-panel-production-line-ooitech.html) ### เครื่องติดเทปอัตโนมัติ: รอบ 25 วินาที, ±2mm เครื่องติดเทปอัตโนมัติ Ooitech ติดเทปกาวบนสตริงเซลล์แสงอาทิตย์ด้วยความแม่นยำและความเร็วสูง ![เครื่องขึ้นโครงแผงโซลาร์ OTZK: ±1mm, 2000x1100mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774608426614052.webp) - [** Rachael](./solar-panel-framing-machine-with-punching-function-and-otzk-a-full-automatic-framing-machine-with-auto-dispensing-glue-ooitech.html) - [** 20434](./solar-panel-framing-machine-with-punching-function-and-otzk-a-full-automatic-framing-machine-with-auto-dispensing-glue-ooitech.html) ### เครื่องขึ้นโครงแผงโซลาร์ OTZK: ±1mm, 2000x1100mm Ooitech นำเสนอเครื่องขึ้นโครงแผงโซลาร์เซลล์ประสิทธิภาพสูง รวมถึงเครื่องขึ้นโครงแบบไฮดรอลิกพันช์ และเครื่องขึ้นโครงอัตโนมัติเต็มรูปแบบรุ่น OTZK-A ![เครื่องวางซ้อนและบัสบาร์ SAW-100A: การแตกหัก ≤0.3%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774349342486074.webp) - [** Rachael](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) - [** 19729](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) ### เครื่องวางซ้อนและบัสบาร์ SAW-100A: การแตกหัก ≤0.3% เครื่องวางซ้อนและเชื่อมบัสบาร์อัตโนมัติแบบรวม Ooitech SAW-100A ให้การวางซ้อนสตริงเซลล์ประสิทธิภาพสูงและการเชื่อมบัสบาร์ขั้วต่อด้วยประสิทธิภาพสูง ![หัวขั้วสตริงแบบชิงเกิล STW-60A: 20 วินาที/สตริง](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774264892557837.webp) - [** ooitech](./stw-60a-automatic-shingled-string-cell-terminal-head-welding-machine-solar-module-busbar-welding-equipment.html) - [** 78284](./stw-60a-automatic-shingled-string-cell-terminal-head-welding-machine-solar-module-busbar-welding-equipment.html) ### หัวขั้วสตริงแบบชิงเกิล STW-60A: 20 วินาที/สตริง เครื่องเชื่อมหัวขั้วเซลล์แบบชิงเกิลสตริงอัตโนมัติรุ่น STW-60A โดย Ooitech ใช้เทคโนโลยีการให้ความร้อนด้วยอินฟราเรดเพื่อเชื่อมบัสบาร์ทั้งด้านบวกและ ![กรอบอะลูมิเนียมสำหรับแผงโซลาร์เซลล์: ขนาดและการชุบอโนไดซ์](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032713454036.jpg.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Aluminum-Frame-Manufacturing-Equipment-Professional-PV-Module-Frame-Production-Solutions.html) - [** 36638](./Solar-Panel-Aluminum-Frame-Manufacturing-Equipment-Professional-PV-Module-Frame-Production-Solutions.html) ### กรอบอะลูมิเนียมสำหรับแผงโซลาร์เซลล์: ขนาดและการชุบอโนไดซ์ กรอบอะลูมิเนียมแผงโซลาร์ อะโนไดซ์และตัดสำหรับขนาดโมดูล G1/M6/M10/M12 พร้อมการอัดขึ้นรูป การตัด และการจัดหาลูกกุญแจมุมครบวงจรจากสายการผลิตเดียว