# UVID ในเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon: การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัส > การศึกษาเกี่ยวกับการเสื่อมสภาพที่เกิดจากรังสียูวี (UVID) ในเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon โดยใช้การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัส, ToF-SIMS และ XPS แบบเจาะลึกเพื่อเปิดเผยไฮโดรเจนและ ![UVID ในเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon: การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัส](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260804/17aeb9818f648b0a8226d34423b2a293.webp) - ** Jerry - ** 2026-08-04 - ** 270 ครั้งที่เข้าชม - ** [บล็อก](./Blog.html) ## UVID ในเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon: การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัส **คำตอบสั้น:** การวิจัย UVID บนเซลล์ TOPCon ใช้การทดสอบ IV แบบไม่สัมผัส เนื่องจากการเสื่อมสภาพจะพัฒนาขึ้นตามระยะเวลาที่ได้รับแสง และการวัดเองก็ต้องไม่เปลี่ยนแปลงสิ่งที่กำลังวัด การใช้หัววัดแตะเซลล์เพื่ออ่านค่า IV จะทำให้เมทัลไลเซชันเสียหายเล็กน้อย ซึ่งจะสะสมเพิ่มขึ้นเมื่อวัดซ้ำหลายครั้งและทำให้เส้นกราฟการเสื่อมสภาพอ่านไม่ได้ วิธีแบบไม่สัมผัสจะอ่านค่าเซลล์ด้วยแสงแทน ดังนั้นตัวอย่างเดิมจึงสามารถติดตามผ่านลำดับการรับแสง UV ได้ สภาวะความเครียดในงานนี้ใช้การรับแสง UV ที่ 60 °C ในช่วงสเปกตรัม 120 nm, 400 nm และ 500 nm โดยตัวอย่างถูกกำหนดชื่อเป็น UV60 ข้อได้เปรียบของ TOPCon เหนือสถาปัตยกรรมรุ่นก่อนมาจากการพาสซีเวชันพื้นผิวและการเลือกพาพาหะ และ UVID คือกลไกที่โจมตีคุณสมบัติเหล่านั้นโดยตรง ซึ่งเป็นเหตุผลที่มันถูกติดตามแยกจากการทดสอบความชื้น-ความร้อน การผลิตโมดูล PV · โดย Jerry, Ooitech ## บทนำ [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) เซลล์สุริยะแบบนี้ครองตลาด PV ในปัจจุบันได้ด้วยการพาสซิเวชันพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพสูงและหน้าสัมผัสแบบเลือกพาพาหะ แต่การใช้งานกลางแจ้งเผยให้เห็นจุดอ่อนที่แท้จริง: การเสื่อมสภาพที่เกิดจากรังสียูวี หรือ UVID หลังการฉายรังสี UV60 ประสิทธิภาพลดลงมากถึง 6.72% งานวิจัยก่อนหน้านี้ส่วนใหญ่โทษ UVID ว่าเกิดจากโฟตอนพลังงานสูงทำลายพันธะ Si–H และปล่อยไฮโดรเจนอิสระ นั่นเป็นเพียงส่วนหนึ่งของเรื่องราว สเปกตรัม UV ของดวงอาทิตย์ครอบคลุมช่วงพลังงานกว้าง 3.1–4.43 eV ดังนั้นปฏิสัมพันธ์กับชั้นพื้นผิวด้านหน้าจึงเกินกว่ากลไกการแตกพันธะ Si–H เพียงเส้นทางเดียว และชั้นซ้อน Al₂O₃ / SiNₓ ด้านหน้านั้นอ่อนแอต่อ UV มากกว่าด้านหลังมาก เครื่องทดสอบ IV แบบไม่สัมผัสช่วยได้มากที่นี่ มันไม่ทำลายตัวอย่าง ไม่ใช้วัสดุสิ้นเปลือง ทำงานด้วยความเร็วระดับมิลลิวินาที รองรับการออกแบบ BC และแบบไม่มีบัสบาร์ และดึงพารามิเตอร์ IV, EQE และ PL ในการวัดครั้งเดียว การศึกษานี้ใช้ ToF-SIMS และ XPS แบบเจาะลึกเพื่อติดตามการกระจายตัวของธาตุและการเปลี่ยนแปลงพันธะเคมีในชั้น Al₂O₃ / SiNₓ ก่อนและหลัง UV60 ผลการค้นพบ: การแตกพันธะ N–H เป็นแหล่งไฮโดรเจนที่สองควบคู่กับ Si–H พันธะ Al–O ใน Al₂O₃ อสัณฐานถูกทำลายโดย UV และสร้างช่องว่างออกซิเจนจำนวนมาก กลไกไฮโดรเจนและออกซิเจนซ้อนทับกันและทำให้การรวมตัวที่พื้นผิวแย่ลง ทำให้มีทิศทางที่ชัดเจนในการปรับปรุงความน่าเชื่อถือของการพาสซิเวชัน ## วิธีการทดลอง (a) แผนผังโครงสร้างเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon (b) ตัวอย่างโครงสร้างด้านหน้าแบบสมมาตร (c) ตัวอย่างโครงสร้างด้านหลังแบบสมมาตร เตรียมตัวอย่างโครงสร้างด้านหน้าแบบสมมาตร (SiNₓ/Al₂O₃/n-Si/Al₂O₃/SiNₓ) และตัวอย่างโครงสร้างด้านหลังแบบสมมาตร (ที่มีชั้น SiOₓ/n⁺-poly-Si) การเสื่อมสภาพด้วย UV ดำเนินการในระดับโมดูล แหล่งกำเนิดแสงส่วนใหญ่เป็น UV-A โดยมี UV-B ประมาณ 11% ภายใต้อุณหภูมิ 60°C และความชื้น 30% ความเข้มของสเปกตรัมของแหล่งกำเนิดแสง UV ## โครงสร้างด้านหน้าเทียบกับด้านหลัง: เปรียบเทียบความต้านทาน UV การเปลี่ยนแปลงของ (a) τeff ที่ความเข้มข้นของพาหะฉีด 1×10¹⁵ cm⁻³, (b) iVoc และ (c) J₀ ด้านเดียวสำหรับตัวอย่างโครงสร้างด้านหน้าและด้านหลังแบบสมมาตรระหว่างการสัมผัส UV โครงสร้างด้านหลังแบบสมมาตรเสื่อมสภาพเพียงเล็กน้อยหลังการสัมผัสรังสียูวี 60 kWh·m⁻² ชั้นโพลี-Si หนา 120 นาโนเมตรดูดซับแสงยูวีเกือบทั้งหมดและให้การป้องกันอย่างมีประสิทธิภาพ โครงสร้างด้านหน้าให้เรื่องราวที่แตกต่างกัน τeff ลดลงจาก 2895.6 μs เป็น 1552.8 μs iVoc ลดลงจาก 735.5 mV เป็น 715.2 mV ค่า J₀ ด้านเดียวพุ่งสูงขึ้นถึง 18.4 fA·cm⁻² ซึ่งประมาณสามเท่าของค่าเริ่มต้น การพาสซีฟของ Al₂O₃ / SiNₓ เสื่อมสภาพอย่างหนัก ## วิวัฒนาการขององค์ประกอบทางเคมี โปรไฟล์ความเข้มเชิงความลึกของ (a) ไฮโดรเจนและ (b) ออกซิเจนในตัวอย่างโครงสร้างด้านหน้าแบบสมมาตรที่ขัดเงาก่อนและหลัง UV60 วัดโดย ToF-SIMS ToF-SIMS แสดงความเข้มข้นของไฮโดรเจนเพิ่มขึ้นอย่างชัดเจนหลังการสัมผัสรังสียูวี โดยเฉพาะภายในชั้น SiNₓ การวิเคราะห์ XPS เชิงความลึกของ N 1s แสดงให้เห็นว่าที่อินเทอร์เฟซ SiNₓ / Al₂O₃ สัดส่วนพันธะ N–H ลดลงจาก 9.64% เป็น 5.97% ดังนั้นการแตกของพันธะ N–H จึงเป็นแหล่งไฮโดรเจนที่สองนอกเหนือจาก Si–H ไฮโดรเจนที่ปลดปล่อยออกมาจะแพร่ไปยังบริเวณพื้นผิวของ SiNₓ และรวมตัวกับซิลิคอนที่นั่น ซึ่งเป็นเหตุผลว่าทำไมสัดส่วน N–H จึงเพิ่มขึ้นใกล้พื้นผิวนั้น ออกซิเจนบอกเล่าเรื่องราวที่สำคัญไม่แพ้กัน ออกซิเจนในชั้น Al₂O₃ ลดลงเล็กน้อย ในขณะที่ออกซิเจนที่อินเทอร์เฟซ SiNₓ/Al₂O₃ และ Al₂O₃/Si เพิ่มขึ้น ซึ่งบ่งชี้ว่าพันธะ Al–O แตกและออกซิเจนอิสระเคลื่อนที่ออกไปด้านนอก พลังงานพันธะ Al–O ในผลึกในอุดมคติประมาณ 5.3 eV แต่ใน Al₂O₃ ที่เป็นอสัณฐาน ไอออนอะลูมิเนียมที่ขาดการประสานและช่องว่างออกซิเจนจะดักจับอิเล็กตรอนและกลายเป็นประจุลบ ทำให้พลังงานกระตุ้นสำหรับการแตกพันธะ Al–O ที่อยู่ติดกันลดลงเหลือประมาณ 2.4 eV ซึ่งหมายความว่าแสงยูวี 400 นาโนเมตร (3.1 eV) เพียงพอที่จะทำลายพันธะเหล่านี้ได้ สเปกตรัม XPS เชิงความลึกของ N 1s ที่อินเทอร์เฟซต่างๆ ของชั้น Al₂O₃/SiNₓ ก่อนและหลัง UV60 พร้อมเส้นโค้งที่ปรับแล้วสำหรับพันธะ N–Si (397.5 eV) และ N–H (399.5 eV) XPS ของ O 1s แสดงออกซิเจนในโครงตาข่าย (OI) เปลี่ยนเป็นช่องว่างออกซิเจน (OII) ในสเปกตรัม Al 2p สัดส่วน Al₂O₃ ลดลงจาก 69.99% เป็น 60.36% ในขณะที่ Al–OH เพิ่มขึ้นจาก 30.01% เป็น 39.64% ในสเปกตรัม Si 2p Si²⁺ เพิ่มขึ้นในขณะที่ซิลิคอนที่มีวาเลนซ์สูงกว่าลดลง อิเล็กตรอนที่ปลดปล่อยเมื่อช่องว่างออกซิเจนก่อตัวจะรีดิวซ์ซิลิคอนจากสถานะออกซิเดชันที่สูงขึ้น เมื่อรวมกันแล้ว การเปลี่ยนแปลงเหล่านี้ในพันธะของออกซิเจน อะลูมิเนียม และซิลิคอนแสดงให้เห็นว่าคุณภาพของฟิล์ม Al₂O₃ ได้รับความเสียหายแล้ว ## การเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพทางไฟฟ้า เส้นโค้ง EQE และการสะท้อนแสงของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ก่อนและหลัง UV60 การเปลี่ยนแปลงความต้านทานหน้าสัมผัสด้านหน้าของเซลล์แสงอาทิตย์ TOPCon ระหว่างการสัมผัส UV60 ค่าการสะท้อนแสงแทบไม่เปลี่ยนแปลงหลังการทดสอบ UV60 ค่า EQE ลดลงปานกลางในช่วงความยาวคลื่นสั้นต่ำกว่า 500 นาโนเมตร ซึ่งสอดคล้องกับการรวมตัวที่พื้นผิวด้านหน้ามากขึ้น ความต้านทานสัมผัสของขั้วไฟฟ้าด้านหน้าเพิ่มขึ้นเกือบเป็นเส้นตรงตามปริมาณรังสี UV โดยสูงถึง 4.1 มิลลิโอห์ม·ตารางเซนติเมตร ซึ่งสูงขึ้นประมาณ 8.6 เท่า สาเหตุคือไฮโดรเจนและออกซิเจนอิสระที่เกิดในชั้นพาสซิเวชันแพร่ไปยังรอยต่ออิเล็กโทรดและมีส่วนร่วมในปฏิกิริยารีดอกซ์ รังสี UV ยังเปลี่ยนโมเลกุลน้ำบนพื้นผิวเงินให้เป็นไฮดรอกซิลเรดิคัล ซึ่งร่วมกันกัดกร่อนอิเล็กโทรดโลหะ อัตราการเสื่อมสมรรถนะทางไฟฟ้าระหว่างการรับรังสี UV60: (a) แรงดันวงจรเปิด (b) กระแสลัดวงจร (c) ฟิลแฟกเตอร์ (d) ประสิทธิภาพ แรงดันวงจรเปิดลดลง 3.46% เชิงสัมพัทธ์ เกิดจากการเสื่อมของพาสซิเวชันพื้นผิวด้านหน้าและค่า J₀ ที่เพิ่มขึ้น ฟิลแฟกเตอร์ลดลง 2.82% เกิดจากความต้านทานสัมผัสด้านหน้าที่สูงขึ้น กระแสลัดวงจรลดลงเพียง 0.64% เนื่องจากการสูญเสีย EQE ในช่วงความยาวคลื่นสั้นมีจำกัด การสูญเสียประสิทธิภาพการแปลงโฟโตอิเล็กทริกสุดท้ายอยู่ที่ 6.72% ## บทสรุป โครงสร้าง SiNₓ/Al₂O₃ ด้านหน้าของเซลล์ TOPCon มีความทนทานต่อรังสี UV น้อยกว่าโครงสร้างด้านหลังมาก ภายใต้รังสี UV พันธะ Si–H และ N–H จะแตกตามลำดับและปล่อยไฮโดรเจนอิสระ พันธะ Al–O ใน Al₂O₃ ที่เป็นอสัณฐานแตกภายใต้รังสี UV ปล่อยออกซิเจนอิสระและสร้างตำแหน่งว่างออกซิเจนจำนวนมาก Al₂O₃ เปลี่ยนไปเป็น Al–OH และวาเลนซ์ของซิลิคอนเปลี่ยนไป กลไกการเสื่อมสองแบบนี้คือไฮโดรเจนและออกซิเจน ซ้อนทับกันและทำให้การรวมตัวที่พื้นผิวแย่ลง เมื่อรวมกับการเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของความต้านทานสัมผัสด้านหน้า ผลลัพธ์คือการสูญเสียประสิทธิภาพ 6.72% งานนี้ให้ข้อมูลอ้างอิงที่เป็นประโยชน์สำหรับการทำความเข้าใจ UVID ของ TOPCon และการปรับปรุงความน่าเชื่อถือระยะยาวของชั้นพาสซิเวชัน ## มุมมองของ Ooitech UVID พิสูจน์ซ้ำแล้วซ้ำเล่าว่าโครงสร้างด้านหน้าคือจุดที่ความน่าเชื่อถือถูกทดสอบจริง ดังนั้นวิธีการสร้างและควบคุมการสะสม SiNₓ/Al₂O₃ และการ encapsulate บนสายการผลิตโมดูลจึงสำคัญพอๆ กับสูตรเซลล์ บนสายการผลิตโมดูล TOPCon และ PERC แบบครบวงจรของเรา เราเห็นบทเรียนเดียวกันเกิดขึ้นในขั้นตอนการวางซ้อน การเคลือบ และการตรวจสอบ EL การเลือกกระบวนการเล็กน้อยเป็นตัวกำหนดว่าแผงจะทนทานกลางแจ้งได้หลายปีหรือไม่ หากคุณต้องการมุมมองเชิงปฏิบัติจากหน้างานเพิ่มเติม ช่อง YouTube ของ Ooitech ที่ [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) น่าติดตาม ที่เกี่ยวข้อง: [TOPCon UVID และการแยก r-UVID / ir-UVID](https://www.ooitech.com/topcon-uvid-reversible-and-irreversible-uv-degradation.html) อธิบายว่าเหตุใดโมดูลเดียวกันจึงอ่านค่าได้แตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับเวลาที่ทำการวัด ## การอ่านเพิ่มเติมและข้อมูลพื้นฐาน เอกสารอ้างอิงสาธารณะเกี่ยวกับหัวข้อนี้ จัดพิมพ์โดยองค์กรที่ดูแลแผนงานเทคโนโลยีและข้อมูลตลาดของอุตสาหกรรม: - [Fraunhofer ISE — รายงานเซลล์แสงอาทิตย์](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [กระทรวงพลังงานสหรัฐอเมริกา — เซลล์แสงอาทิตย์](https://www.energy.gov/eere/solar/photovoltaics) - [VDMA — แผนงานเทคโนโลยีระหว่างประเทศสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) --- ##### แท็ก : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### ขอใบเสนอราคา การอัปโหลดทั้งหมดปลอดภัยและเป็นความลับ ## เรามอบ ความเชี่ยวชาญที่คุณวางใจได้ บริการของเรา อุปกรณ์จากโรงงานโดยตรง ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### ข้อได้เปรียบด้านความคุ้มค่า เรามอบคุณค่าที่โดดเด่น เพิ่มผลลัพธ์สูงสุดพร้อมปรับงบประมาณให้เหมาะสมสำหรับลูกค้า ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### ทีมงานผู้มีประสบการณ์ของเรา ผู้เชี่ยวชาญที่มีทักษะของเราเชี่ยวชาญด้านโซลูชันนวัตกรรมและกลยุทธ์ที่ปรับแต่งเฉพาะ ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### ประสบการณ์อุตสาหกรรมมากกว่า 15 ปี ความเชี่ยวชาญเชิงลึกช่วยให้มั่นใจถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้ ทันสมัย และผ่านการพิสูจน์แล้วเพื่อความสำเร็จ ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## สิ่งที่ลูกค้าของเรา กล่าว เกี่ยวกับเรา คำรับรองจากลูกค้ายกย่องความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของเราในความท้าทายของพวกเขา ซึ่งนำไปสู่โซลูชันนวัตกรรมและ ROI ที่แข็งแกร่ง ความร่วมมือระยะยาว—บางรายการนานกว่าทศวรรษ—แสดงให้เห็นถึงความไว้วางใจและความพึงพอใจของพวกเขา เรื่องราวความสำเร็จของพวกเขาขับเคลื่อนให้เราพัฒนาเกินความคาดหวังอย่างต่อเนื่อง [รู้เพิ่มเติม **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์ทดลองเซลล์แสงอาทิตย์ BC ที่เหมาะสมอย่างยิ่ง ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณ Ooitech ที่จัดหาอุปกรณ์การผลิตอัตโนมัติเต็มรูปแบบ—การติดตั้งและบริการหลังการขายของคุณยอดเยี่ยมมาก ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### อัมจาด ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอบคุณสำหรับการสนับสนุนอย่างมืออาชีพของ Ooitech และบริการหลังการขายที่ตรงเวลา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra จากแอฟริกา ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ชายผู้มีจิตใจยิ่งใหญ่ ขอบคุณมากสำหรับการเยี่ยมชมของคุณ คุณหวู่ ขอบคุณมากสำหรับบริการในการติดตั้งอุปกรณ์และฝึกอบรมนักเรียนของฉัน บุคคลที่ใจดีที่สุดและมืออาชีพในสาขาของเขา ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### สถาบันโพลีเทคนิคจิซซัค ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ขอขอบคุณอีกครั้งอย่างมากสำหรับความช่วยเหลืออย่างยิ่งใหญ่ในการปรับปรุงและแก้ไขโรงงาน รวมถึงการสอนคนงานวิธีการใช้เครื่องจักร ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### มาร์ค BIPV ฟิลิปปินส์ ## ผลิตภัณฑ์ล่าสุดของเรา ![เครื่องจำลองแสงอาทิตย์ GIV: ระดับ A+, ความไม่เสถียร <1%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774508988152657.webp) - [** Rachael](./gsolar-solar-panel-tester-sun-simulator-giv-20a2616-a-a-a-class-solar-module-iv-tester.html) - [** 13749](./gsolar-solar-panel-tester-sun-simulator-giv-20a2616-a-a-a-class-solar-module-iv-tester.html) ### เครื่องจำลองแสงอาทิตย์ GIV: ระดับ A+, ความไม่เสถียร เครื่องทดสอบแผงโซลาร์เซลล์และเครื่องจำลองแสงอาทิตย์ Gsolar GIV-20A2616 ระดับ A+A+A+ พร้อมพื้นที่ทดสอบ 2600mm x 1600mm ระยะเวลาพัลส์ยาว 10ms-100ms ![เครื่องเชื่อมเซลล์ OSLB-1300 BC: 1000 เซลล์/ชั่วโมง, ±0.10mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032311945973.png) - [** ooitech](./oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html) - [** 99028](./oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html) ### เครื่องเชื่อมเซลล์ OSLB-1300 BC: 1000 เซลล์/ชั่วโมง, ±0.10mm เครื่องเชื่อมเซลล์แบบสัมผัสด้านหลัง OSLB-1300 จาก Ooitech ให้กำลังการผลิต ≥1000 เซลล์/ชั่วโมง สำหรับการเชื่อมสตริงเซลล์แสงอาทิตย์แบบ BC, IBC, ABC และ HPBC ![เครื่องทดสอบ EL แบบพกพา: 24MP, ตรวจจับรอยร้าว 0.2mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051214015103.webp) - [** ooitech](./portable-hd-el-tester-for-solar-module-inspection.html) - [** 837](./portable-hd-el-tester-for-solar-module-inspection.html) ### เครื่องทดสอบ EL แบบพกพา: 24MP, ตรวจจับรอยร้าว 0.2mm เครื่องทดสอบ EL แบบพกพาความละเอียดสูงพร้อมกล้องอินฟราเรดโฟกัสอัตโนมัติ 24MP สำหรับการทดสอบอิเล็กโทรลูมิเนสเซนซ์ของโมดูลโซลาร์ ![หัวขั้วสตริงแบบชิงเกิล STW-60A: 20 วินาที/สตริง](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774264892557837.webp) - [** ooitech](./stw-60a-automatic-shingled-string-cell-terminal-head-welding-machine-solar-module-busbar-welding-equipment.html) - [** 78242](./stw-60a-automatic-shingled-string-cell-terminal-head-welding-machine-solar-module-busbar-welding-equipment.html) ### หัวขั้วสตริงแบบชิงเกิล STW-60A: 20 วินาที/สตริง เครื่องเชื่อมหัวขั้วเซลล์แบบชิงเกิลสตริงอัตโนมัติรุ่น STW-60A โดย Ooitech ใช้เทคโนโลยีการให้ความร้อนด้วยอินฟราเรดเพื่อเชื่อมบัสบาร์ทั้งด้านบวกและ ![เครื่องเชื่อมกล่องต่อสาย KS-01C: รอบการทำงาน 16 วินาที](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92491](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### เครื่องเชื่อมกล่องต่อสาย KS-01C: รอบการทำงาน 16 วินาที เครื่องเชื่อมกล่องรวมสาย Ooitech KS-01C มาพร้อมระบบเชื่อมดีบุกแบบฮอตบาร์อัตโนมัติและการเชื่อมความถี่สูง พร้อมความแม่นยำในการจัดตำแหน่งด้วย CCD ที่ ±0.1 มม. ![เครื่องตัดแถบ EVA และ TPT รุ่น C350-CQC: 30-80mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032714363679.webp) - [** Rachael](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) - [** 34728](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) ### เครื่องตัดแถบ EVA และ TPT รุ่น C350-CQC: 30-80mm เครื่องเจาะและตัดรุ่น C350-CQC – 30 ชิ้น/นาที ความแม่นยำ ±0.2 มม. สำหรับวัสดุพลังงานแสงอาทิตย์ EVA, TPT และ PPE การประมวลผลที่แม่นยำสำหรับบัสบาร์และ